数据表
硅晶体管
PA808T
微波低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
（带内置2个元素）超级迷你模具
特点
- 低噪声
NF = 1.3 dB典型值。 @V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
NF = 1.3 dB典型值。 @V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
超级迷你模具套餐领养
内置2个晶体管（ 2
×
2SC5184)
2.0±0.2
封装图纸
（单位：毫米）
2.1±0.1
1.25±0.1
1.3
订购信息
产品型号
QUANTITY
松散产品
（ 50 PCS ）
编带产品
（ 3 KPCS /卷）
包装方式
压纹带8mm宽。引脚6
（ Q1基极） ，引脚5 （ Q2基极） ， 4针
（ Q2发射极）面穿孔
带的一侧。
0.65
2
PA808T
PA808T-T1
0.65
3
0.9±0.1
个。 ）
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
等级
5
3
2
30
在1单元90
180 2
结温
储存温度
T
j
T
英镑
分子
记
150
-65到+150
°C
°C
单位
V
V
V
mA
mW
引脚配置（顶视图）
6
Q
1
0-0.1
NEC销售代表。 （单位样本数量为50
5
4
Q
2
1
2
3
记
110毫瓦不得超过1元。
引脚连接
1.收集器（ Q1） 4.发射器（ Q2 ）
2.发射器（ Q1 ）
5.基地（ Q2 ）
3.收集器（ Q2 ） 6.基地（ Q1 ）
该设备采用射频技术。采取适当的预防措施以保护其免受过大的输入电平，如静电。
一号文件P12154EJ2V0DS00 （第2版）
（上一个号ID- 3642 ）
发布日期1996年十一月
日本印刷
0.15
+0.1
–0
备注
如果您需要评估样品，请联系
0.7
4
5
0.2
+0.1
–0
1
6
X Y
1995
1994
