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UCC27511
UCC27512
SLUSAW9C - 2012年2月 - 修订2012年6月
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VDD和欠压锁定
该UCC2751x器件具有内部欠压锁定（ UVLO）保护的VDD引脚供电功能
电路模块。当驾驶员处于UVLO状态时（即V
DD
电压小于V
ON
上电时
当V
DD
电压小于V
关闭
断电）时，该电路包含所有输出低电平，而不管
的输入状态。在UVLO通常是4.2 V 300 mV的典型滞后。这种滞后有助于防止
闲聊时，低V
DD
电源电压有来自电源的噪声，也当有会枯萎的
当系统开始切换，并有在我的突然增加的VDD偏压
DD
。的能力，以
工作在低电压电平如低于5伏，连同最佳的一流的开关特性，尤其是
适用于驱动新兴的GaN的宽能隙功率半导体装置。
例如，在加电时，所述UCC2751x驱动器的输出保持低电平直到在V
DD
电压达到UVLO
门槛。在输出信号的幅度与V上升
DD
直到稳态V
DD
被达到。在非反相
如下图所示的操作（适用于+引脚PWM信号） ，输出保持低电平，直到UVLO阈值
达到了，然后输出是同相输入端。在反相操作（PWM信号施加到IN-引脚）
如下图所示，输出保持低电平，直到UVLO门限达到，然后输出缺相带
的输入。在这两种情况下，未使用的输入引脚必须正确地偏压以使能输出。值得一提的是
在这些设备的输出变为高电平状态只有当IN +引脚为高电平和IN引脚为低电平时， UVLO阈值后，
被达到。
由于驱动电流从VDD引脚偏置内部电路全部，最佳高速电路
性能，二VDD旁路电容建议，以防止噪音问题。使用表面
安装组件，强烈推荐。一个0.1 μF陶瓷电容应尽量靠近，以
在VDD和GND之间的栅极驱动器的引脚。此外，较大的电容器（如1-
μF)
具有相对低的ESR
应当并联连接并靠近，以便帮助实现所要求的高电流峰值
的负载。电容的并联组合应呈现低阻抗特性的预期
电流电平，并在应用中的开关频率。
VDD
VDD阈值
VDD阈值
IN -
IN +
IN +
IN-
OUT
OUT
图21.上电（非反相驱动器）
图22.电（反相驱动器）
工作电源电流
该UCC27511与UCC27512具有非常低的静态我
DD
电流。在典型工作电源电流
欠压锁定（ UVLO）状态，并且完全开启状态（在静态和交换条件）汇总
in
图5 ，图6中
和
图7 。
在我
DD
电流时，该设备是在完全开启和输出是在静止状态
（高直流或直流低，请参阅
图7）
代表了最低的静态我
DD
目前在所有的内部逻辑电路
该装置充分运作。总电源电流为静态我的总和
DD
目前，一般的我
OUT
由于开关和最终的任何电流相关的上拉对未使用的输入引脚电阻器的电流。例如
当反相输入引脚被拉低额外电流从VDD电源通过上拉得出
电阻（参照
设备信息
该设备结构图） 。知的操作频率（f
SW
)
与MOSFET的栅极（Q
G
正在使用）的电荷在所述驱动电压，平均我
OUT
电流可以计算
作为Q的产品
G
和f
SW
.
在IDD电流的完整描述为开关频率在不同VDD偏置功能
下1.8 nF的切换负载的电压被提供在
图15 。
醒目的线性变化密切相关
与我平均理论值
OUT
表示可以忽略不计直通的栅极驱动器，证明里面
其高速的特性。
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