位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第677页 > TPS62160DSGT > TPS62160DSGT PDF资料 > TPS62160DSGT PDF资料2第19页

TPS62160
TPS62161 , TPS62162 , TPS62163
www.ti.com
SLVSAM2A - 2011年11月 - 修订2012年3月
记
直流偏置效应:
高电容陶瓷电容器具有DC偏置效应,这将
对最终的有效电容的强烈影响。因此,合适的电容器
值,必须慎重选择。封装尺寸和额定电压,在结合
介电材料是负责额定电容值之间的差异
的有效电容。
间距
输出滤波器和环路稳定性
在TPS6216X系列的器件内部补偿,可以稳定的LC滤波器组合
对应于一个转角频率来计算与
公式10 :
f
LC
=
1
2
p
L
×
C
(10)
对于电感和陶瓷电容证明标称值列于
表1
并建议
使用。不同的值可能工作,但小心,要采取的循环稳定性,这将受到影响。更多
信息包括详细的LC稳定性矩阵中可以找到
SLVA463.
该TPS6216X设备,包括固定和可调整的版本,包括一个内部25PF前馈电容器,
连接之间的VOS和FB引脚。该电容的影响的频率特性,并设置一个极点和
在控制回路中的反馈分频器的电阻为零,每
11式
和
公式12 :
f
零
=
1
2
p ×
R
1
×
25
pF
1
2
p ×
25
pF
1
1
÷
×
+
R
÷
è
1
R
2
(11)
f
极
=
(12)
虽然TPS6216X器件稳定的,没有在一个特定位置上的极点和零点的存在,调整其
位置到该应用程序的特定需求可以在节电模式下提供更好的性能和/或
改进的瞬态响应。外部前馈电容器也可以加入。更详细的讨论
在优化稳定性与瞬态响应中可以找到
SLVA289
和
SLVA466.
如果使用陶瓷电容器,直流偏置效应已予以考虑。直流偏置效应导致在下降
有效电容为电容两端的电压增大(见
直流偏置效应
注:在电容器
选择部分) 。
布局的注意事项
一个适当的布局是一个开关型电源的操作并不重要,甚至更在高开关
频率。因此, TPS6216X的PCB布局需要特别注意,以确保操作和
获得规定的性能。一个可怜的布局可能会导致像可怜的监管(包括线路和负载) ,稳定性问题
和准确性的弱点,增加了EMI辐射和噪声敏感度。
提供低电感和电阻的路径对地循环以高的di / dt 。因此路径传导
切换负载电流应尽可能短而宽越好。提供低电容性路径(相对于全部
其他节点),用于电线与高dv / dt 。因此,输入和输出电容应放在尽可能靠近
可以给IC引脚和并联布线长距离以及窄迹线应该避免。循环
其进行的交流电流应概括的面积尽可能小,因为这方面的成比例
辐射的能量。
也像FB和VOS的敏感节点应与短电线,而不是在附近高的dv / dt信号的连接(如
SW) 。因为它们承载关于输出电压的信息,他们应当连接尽可能接近的
实际输出的电压(在输出电容器) 。信号没有分配给电力传输(如反馈分频器)
应该指的是信号地( AGND ),并始终与电源地( PGND )分隔。
版权所有2011-2012 ,德州仪器
提交文档反馈
19
产品文件夹链接( S) :
TPS62160 TPS62161 TPS62162 TPS62163