TPA3106D1
SLOS516C - 2007年10月 - 修订2010年8月
www.ti.com
电源去耦，C
S
该TPA3106D1是一款高性能的CMOS音频放大器，需要足够的电源去耦
以确保输出的总谐波失真（THD）是尽可能的低。电源去耦也
防止振荡的放大器和扬声器之间的长引线长度。最佳解耦
通过使用不同类型的针对不同类型的电源引线的噪声的两个电容器来实现的。
对于较高频率的瞬变，尖峰或上线的数字散列，良好的低等效串联电阻（ESR）
陶瓷电容器，通常为0.1
mF
1 μF放置在尽可能靠近该设备V
CC
铅是最好的。为
滤除低频噪声信号，较大的铝电解100电容器
mF
每个输入线（引脚14 ，
建议15和销26 ，27，28 ）或更大放在附近的音频功率放大器。 100
mF
电容
也用作本地存储电容器中的放大器输出大信号瞬态电流供给。
该PVCC终端提供的电源输出晶体管，所以一个100 μF或更大的电容应
放置在每个PVCC终端上。在AVCC端上一个10μF电容就足够了。
全H桥输出级只使用NMOS晶体管。因此，它们需要自举电容的
每个输出的高压侧正确地打开。一个220 nF的陶瓷电容，额定电流至少达到25 V ，必须
从每个输出到其相应的自举输入端连接。具体而言， 1 220 nF的电容必须
连接从xOUTP到BSxx ，和一个220 nF的电容必须从xOUTN连接到BSxx 。 （见
在应用电路图
图25. ）
连接之间的BSxx销和相应的输出功能作为一个浮动的自举电容
电源为高侧的N沟道功率MOSFET栅极驱动电路。在每个高侧开关
周期时，自举电容保持栅极 - 源极电压足够高，以保持高侧MOSFET
接通。
V钳位电容
以确保最大栅极 - 源极电压的NMOS输出晶体管是不超过两个
内部调节夹紧栅电压。两个1 μF的电容必须从VCLAMPL连接和
VCLAMPR接地，必须适用于至少16 V.在VCLAMPx端子上的电压可能会有所不同
V
CC
并且可以不使用用于给任何其他的电路。
内部稳压4 V电源（ VREG ）
在VREG端子（引脚10 ）是一个内部产生4 - V电源输出，用于振荡器，
前置放大器和增益控制电路。它需要一个10 nF电容，放在靠近引脚，以保持稳压器
稳定。
这种调节的电压可用于控制GAIN0 ， GAIN1 ， MSTR / SLV和静音终端，但不应该
可用于驱动外部电路。
VBYP电容的选择
内部偏置发生器（ VBYP ）名义上提供了一个1.25 - V内部偏置前置放大器阶段。该
外部输入电容和本内参允许输入可以在最佳偏置
共模电压范围输入前置放大器。
在VBYP终端上的电容值的选择是为了实现最佳的器件性能的关键。
在从关闭状态加电时或回收时， VBYP电容器确定的速率的
放大器启动。当在VBYP电容上的电压等于VBYP ，设备启动16.4毫秒定时器。
当该定时器完成后，输出启动开关。所述电容器的充电速度，使用所计算出的
为一个电容器，我= C X的dv / dt的标准充电式。充电电流通常等于250μA和DV
等于VBYP 。例如，一个1 μF电容上VBYP将采取5毫秒，达到VBYP的价值，
开始16.4毫秒计的输出导通之前。这相当于<30 ms的导通时间为1 μF电容
在VBYP终端。
该VBYP电容器的第二个功能是在内部1.25 -V偏压发生器滤除高频噪声。
建议在VBYP电容至少0.47μF的价值。为了获得最佳的开机和关机流行
的性能， VBYP电容器应大于或等于输入电容器。
20
提交文档反馈
产品文件夹链接（ S） ：
TPA3106D1
版权所有 2007-2010 ，德州仪器
