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TMS320F2809 ， TMS320F2808 ， TMS320F2806
TMS320F2802 ， TMS320F2801 ， TMS320C2802
TMS320C2801 ， TMS320F28016 ， TMS320F28015
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SPRS230N - 2003年10月 - 修订2012年5月
6.12闪断时间
表6-43 。闪存耐久性A和S温度材料
(1)
擦除/编程
温度
N
f
N
OTP
(1)
闪存耐力的阵列（写入/擦除周期）
OTP耐力为阵列（写周期）
0 ° C至85°C （环境）
0 ° C至85°C （环境）
民
20000
典型值
50000
1
最大
单位
周期
写
写/擦除未指定所指示的温度范围之外的操作，并且可能影响耐久性的数字。
表6-44 。闪存耐久性的Q温度材料
(1)
擦除/编程
温度
N
f
N
OTP
(1)
闪存耐力的阵列（写入/擦除周期）
OTP耐力为阵列（写周期）
-40 ° C至125°C （环境）
-40 ° C至125°C （环境）
民
20000
典型值
50000
1
最大
单位
周期
写
写/擦除未指定所指示的温度范围之外的操作，并且可能影响耐久性的数字。
表6-45 。闪存参数在100MHz的SYSCLKOUT
参数
(1)
节目
时间
16位字
16K部门
8K部门
4K扇区
抹去
时间
(2)
16K部门
8K部门
4K扇区
I
DD3VFLP
I
DDP
I
DDIOP
(1)
(2)
V
DD3VFL
期间的电流消耗
擦除/编程周期
V
DD
时消耗电流
擦除/编程周期
V
DDIO
时消耗电流
擦除/编程周期
抹去
节目
测试条件
民
典型值
50
500
250
125
2
2
2
75
35
140
20
最大
单位
μs
ms
ms
ms
s
s
s
mA
mA
mA
mA
因为在室温下包括函数调用的开销看出，所有的外设关闭的典型参数。
片上闪存的擦除状态时，该设备是从TI出货。这样，擦除了闪存存储器不需要
在编程之前，当第一次对器件编程。然而，有必要对所有后续的擦除操作
编程操作。
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电气规格
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