位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第259页 > TLV2252QDRQ1 > TLV2252QDRQ1 PDF资料 > TLV2252QDRQ1 PDF资料1第6页

SGLS192A - 2003年10月 - 修订2004年3月
TLV225x Q1 , TLV225xA Q1
高级LinCMOS轨至轨
非常低的功率运算放大器
TLV2252 -Q1的经营特色,在指定的自由空气的温度,V
DD
= 3 V
参数
测试条件
VO = 0.8 V至1.4 V,
CL = 100 pF的
F = 10赫兹
F = 1千赫
F = 0.1 Hz至1赫兹
F = 0.1赫兹到10赫兹
RL = 100 kΩ的 ,
TA
25°C
满
范围
25°C
25°C
25°C
25°C
25°C
F = 1千赫
CL = 100 pF的
VO( PP) = 1V ,
RL = 50 kΩ的 ,
RL = 50 kΩ的 ,
RL = 50 kΩ的 ,
AV = 1,
CL = 100 pF的
CL = 100 pF的
25°C
TLV2252-Q1
民
0.07
0.05
35
19
0.6
1.1
0.6
0.187
典型值
0.1
最大
TLV2252A-Q1
民
0.07
0.05
35
19
0.6
1.1
0.6
0.187
V
V
纳伏/赫兹÷
典型值
0.1
V / μs的
最大
单位
SR
压摆率在单位增益
等效输入噪声
电压
峰 - 峰值
等效输入
噪声电压
等效输入噪声
当前
增益带宽
产品
Vn
VN (PP)的
In
FA / √Hz的
兆赫
BOM
φ
m
最大
输出摆幅
带宽
相位裕度在单位
收益
增益裕度
25°C
60
60
千赫
25°C
25°C
63°
15
63°
15
dB
全范围为-40° C至125°C的Q级部分。
参考1.5 V
6
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265