THS6204

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SBOS416C - 2007年10月 - 修订2009年4月

DIE

侧视图（一）

DIE

到底图（b）

热

PAD

底视图（三）

（ 1）导热垫是从包中所有终端电气隔离。

图89.视图的散热增强型封装PWP （仅代表 - 不按比例）

热分析

由于所述的高输出功率能力

THS6204 ，散热或强制气流可能

在极端操作条件要求。

所需的最大结温的设置

允许的最大内部功耗为

如下所述。在任何情况下，最大

结温度被允许超过+ 130℃。

工作结温（T

J

）由T定

A

+

P

D

×

θ

JA

。总的内部功耗（P

D

）是

静态功率的总和（P

DQ

）和附加

在输出级中的功耗（P

DL

），可提供

负载功率。静态功耗是指定的空载

供电电流乘以总电源两端电压

的部分。一P

DL

取决于所需的输出信号

和负载;使用先前开发的模型

在所描述的

总驱动功率于xDSL

应用

部，计算出最大的T

J

运用

一个THS6204 QFN- 24的电路

图81

在指定的最高环境工作

温度为+ 85°C 。

最大的T

J

= +85

°

C + (0.955

32

°

C / W） = 115.5

°

C

(19)

板布局指南

实现

最佳

性能

同

a

高频放大器像THS6204需要

仔细注意电路板寄生和外部

组件类型。该优化建议

性能包括：

一）尽量减少寄生电容

任何交流地

所有的信号I / O引脚。对寄生电容

的输出和反相输入引脚会导致

不稳定;上的同相输入端，它可与反应

源阻抗造成无意的带

限制。为了减少不必要的电容，一个窗口

信号周围的I / O引脚应在所有的开

围绕这些引脚的接地层和电源层。

否则，接地和电源层应

完整的电路板上其他地方。

b）使距离

（ < 0.25" ）从

电源

引脚

to

高频

0.1F

去耦电容。在器件引脚，地面

和电源平面布局不应该在接近

邻近信号的I / O引脚。避免狭隘的力量

线和地线之间的电感降至最低

销和去耦电容。该

电源连接应始终

分离这些电容。可选电源

去耦电容两端的两个电源

（对于双极性工作）提高二次谐波

失真性能。较大（ 2.2μF至6.8μF ）

去耦电容器，以较低的频率有效，

应也可用于在主电源引脚。这些

可以从设备有所更远放置并

可以在相同的在几个设备之间共享

区在PCB的。

虽然这仍远低于指定

最高结温，系统的可靠性

考虑可能需要较低的测试结

温度。最可能的内部

如果负载需要的电流是将发生消

被迫为正的输出电压或输出

从负输出电压的输出源。

这使高电流通过一个大的内部

在输出晶体管的电压降。输出的V-I

在典型特性如图情节包括

边界1W最大内部功耗

在这些条件下。

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