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THS6204
SBOS416C - 2007年10月 - 修订2009年4月
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典型特征: V
S
= ± 6V , 50 %偏置
在T
A
= + 25 ° C,G
差异
= + 5V / V ,G
CM
= 1V / V ,R
ADJ
= 0, R
F
= 1.82kΩ ,且R
L
= 100Ω ,除非另有说明。
50 %偏置频率响应
3
0
G
差异
= 5V/V
R
F
= 1.82k
W
3
V
O
= 2V
PP
0
V
O
= 4V
PP
-
3
V
O
= 20V
PP
-
6
-
9
-
12
-
15
-
18
100
频率(MHz)
300
0
G
差异
= 5V/V
G
CM
= 1V/V
R
L
= 100
W
20
40
60
80
V
O
= 8V
PP
大信号频率响应
归一化增益(分贝)
-
3
-
6
-
9
-
12
-
15
-
18
G
CM
= 1V/V
V
O
= 2V
PP
R
L
= 100
W
G
差异
= 10V/V
R
F
= 1.5kW的
归一化增益(分贝)
10
100 120 140 160 180 200 220
频率(MHz)
图69 。
微分脉冲响应
6
4
1.2
0.8
输出电压(V)
0.4
0
小信号
±
500mV
P
右标
-
0.4
-
0.8
-
1.2
TIME (为10ns / DIV )
图70 。
电源电流FPR FULL偏置设定VS
ADJ
12
10
8
输出电压(V)
2
0
-
2
-
4
-
6
±I
Q
(MA )
6
+I
Q
4
-I
Q
2
0
0
1
2
3
R
ADJ
(k
W
)
4
5
6
大信号脉冲响应
(
±
5V
P
)左标
图71 。
S
VS容性负载
100
20
图72 。
频率响应VS容性负载
R
S
优化为100%偏置
17
100pF
14
22pF
增益(dB )
470pF
R
S
R
S
(
W
)
10
11
8
5
V
IN
THS6204
39pF
C
L
1kW
V
OUT
可选
47pF
R
S
THS6204
1
1
10
100
1000
容性负载(PF )
2
10M
频率(Hz)
100M
200M
图73 。
图74 。
22
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