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SiHG22N60E
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Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
62
0.55
单位
° C / W
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压（N ）
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
有效输出电容，能量
相关
a
有效的输出电容，时间
相关
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
门输入电阻
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
T
J
= 25 ° C，I
F
= I
S
= 11 A,
的di / dt = 100 A / μs的，V
R
= 25 V
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
O（ ER ）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 11 A
V
DS
= 8 V，I
D
= 5 A
600
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.71
-
-
-
-
0.15
6.4
1920
90
6
73
263
57
11
24
18
27
66
35
0.77
-
-
4
± 100
1
10
0.18
-
-
-
-
V
V /°C的
V
nA
μA
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 100 V,
F = 1 MHz的
pF
-
-
86
-
-
36
54
99
70
-
ns
nC
V
DS
= 0 V至480 V ，V
GS
= 0 V
C
O（ TR ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
g
F = 1MHz时，漏极开路
V
DD
= 380 V，I
D
= 11 A,
V
GS
= 10 V ，R
g
= 4.7
V
GS
= 10 V
I
D
= 11 A，V
DS
= 480 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
344
5.3
28
21
A
56
1.2
-
-
-
V
ns
μC
A
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 11 A，V
GS
= 0 V
笔记
A.
OSS （ ER ）
是一个固定的电容，给相同的能量为C
OSS
而V
DS
上升，从0％至80 ％的V
DSS
.
B 。
OSS （ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0％至80 ％的V
DSS
.
S13-0509 -REV 。 E， 11 -MAR- 13
文档编号： 91473
2
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