Si3050 + Si3018 / 19
表3.直流特性，V
D
=
3.3 V
(V
D
=
3.0 3.6 V ，T
A
=
0至70℃的F / K-级）
参数
高电平输入电压
1
低电平输入电压
1
高电平输出电压
低电平输出电压
AOUT高电平电压
AOUT低电平电压
输入漏电流
电源电流，数字
2
总电源电流，睡眠模式
2
总电源电流，深睡
2,3
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
AH
V
AL
I
L
I
D
I
D
I
D
测试条件
民
2.0
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
8.5
5.0
1.3
最大
—
0.8
—
0.35
—
0.35
10
10
6.0
1.5
单位
V
V
V
V
V
V
A
mA
mA
mA
I
O
= -2毫安
I
O
= 2毫安
I
O
= 10毫安
I
O
= 10毫安
V
D
针
PDN = 1， PDL = 0的
PDN = 1， PDL = 1
2.4
—
2.4
—
–10
—
—
—
注意事项：
1.
V
IH
/V
IL
并不适用于C1A / C2A 。
2.
所有输入为0.4 V
D
- 0.4 （ CMOS电平） 。所有的输入保持静态，除了时钟和所有输出卸载
（静我
OUT
=
0毫安） 。
3.
RGDT不是功能处于这种状态。
修订版1.31
7
