EV系列1.5安培敏感可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
图1 ：归直流栅极触发电流
- 结温
2.5
图2 ：归DC控股电流
- 结温
2.0
归一化门：触发电流
I
GT
@ T
j
/ I
GT
@ 25C
归一化控股CURRENT
(I
H
@ T
J
/ I
H
@25∞C)
2.0
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0.0
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95
+110
+125
0.0
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95
+110
+125
结温（T
J
) °C
结温（T
J
) °C
图3 ：归直流栅极触发电压
- 结温
1.5
图4 ：功耗（典型值）
VS. RMS通态电流
1.5
平均功耗，P
D
（瓦特）
归一化门：触发电压
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 180
o
1.0
(V
GT
@ T
j
/ V
GT
@ 25C)
1.0
0.5
0.5
-40
-25
-10
+5
+20
+35
+50
+65
+80
+95
+110
+125
0.0
0.0
结温（T
J
) °C
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] （安培）
0.5
1.0
1.5
图5 ：最大允许外壳温度
与通态电流
最大允许外壳温度，T
C
（摄氏）
130
120
SOT-223
110
100
TO-92
90
80
70
60
50
0.0
0.5
1.0
1.5
电流波形：正弦
负载：阻性或感性
导通角： 180
o
外壳温度：测量
在三维图中所示
RMS通态电流[I
T（ RMS ）
] （安培）
Sx02xS系列
203
修订日期： 2011年6月21日下午4时14分
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