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TLV226x ， TLV226xA
高级LinCMOS轨至轨
运算放大器
SLOS186B - 1997年2月 - 修订2001年3月
典型特征
增益带宽积
vs
自由空气的温度
1200
VDD = 5 V
F = 10千赫
CL = 100 pF的
增益带宽积 - 千赫
1000
φ
米 - 相位裕度
om
45°
RNULL = 20
30°
Rnull = 10
50 k
相位裕度
vs
负载电容
75°
TA = 25°C
60°
RNULL = 100
RNULL = 50
800
600
15°
VI
50 k
VDD +
+
RNULL
CL
RNULL = 0
10 4
400
75
0°
50 25
0
25
50
75
100
125
10
TA - 自由空气的温度 -
°C
VDD - / GND
10 2
10 3
CL - 负载电容 - pF的
图56
增益裕度
vs
负载电容
20
RL = 50 kΩ的
AV = 1
TA = 25°C
15
增益裕度 - 分贝
RNULL = 100
1000
TA = 25°C
B1 - 单位增益带宽 - 千赫
图57
单位增益带宽
vs
负载电容
800
10
RNULL = 50
RNULL = 20
5
Rnull = 10
RNULL = 0
10 2
10 3
CL - 负载电容 - pF的
10 4
600
400
0
10
图58
对于在VDD = 3 V ，所有负载都参考1.5 V.当VDD = 5 V ，所有负载都参考2.5 V.对于所有的曲线，所有曲线
在高温和低温下的数据只适用于各种设备的额定工作自由空气的温度范围。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
200
10
10 2
10 3
CL - 负载电容 - pF的
10 4
图59
37
