MTD3055VL
1999年8月
通讯组*
MTD3055VL
概述
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
特点
?? 12 A， 60 V
DS （ ON）
= 0.18
@ V
GS
= 5 V
??在高温指定临界直流电气参数
温度。
??低驱动要求可直接操作的
逻辑驱动器。 VGS （ TH） < 2 V.
??坚固的内部源极 - 漏极二极管可以消除
无需外部稳压二极管瞬态抑制器。
?? 175°C最高结温额定值。
这N沟道逻辑电平MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
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DS （ ON）
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶
（即使是在非常高的频率） ，并且DC / DC电力
电源设计具有更高的整体效率。
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MTD3055VL版本A
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
