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电路板布局
其中T
J
是结温度T
A
是在环境温度下，磷
D
是功率耗散在
装置（ W），以及
θ
JA
是从结点到环境的热阻。所有的温度均为度
摄氏度。最大的硅片结温，T
J
，决不允许超过150 ℃。布局
设计必须有效地利用铜走线，面的区域，热水槽，为了不支持T
J
to
超过绝对最大额定值的所有温度条件和电压条件下跨下
的一部分。
设计人员必须仔细考虑PCB的散热设计，在实现最佳性能
温度。对于此EVM ，
图5
表明，在PCB顶部GND层经有六个， 6万，热
连接至所述底侧的铜接地平面来散热。所述印刷电路板是双层板带
2盎司铜上的顶层和底层。该DGN包图纸可以在德州仪器找到
网站中的产品文件夹中TPS7A16xx LDO线性稳压器。
表1
从耗散额定值表的TPS7A16xx数据表的重复信息
与热敏电阻进行比较，
θ
JA
，计算该EVM布局，显示了广泛的变化
热阻为给定的铜区域。高K值是使用标准的JEDEC确定
具有3英寸×3英寸的1盎司内部电源层和接地层和尺寸高K （ 2S2P ）板
2盎司铜迹线之上的董事会和底部。
表1.热阻，
θ
JA
和最大功率耗散
板
高K
TPS7A1601EVM-046
包
DGN
DGN
θ
JA
55.09°C/W
38.89°C/W
最大功耗不降容
(T
A
= 25°C)
1.8毫瓦
2.57 W
最大功耗不降容
(T
A
= 70°C)
998毫瓦
1.41.W
为TPS7A1601EVM -046的热阻，
θ
JA
是对于该特定布局的测量值
方案。最大功耗正比于铜量的连接到该卷
封装。
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电路板布局
图4.顶层丝印
SLVU549
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2011年12月
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TPS7A1601EVM-046
版权
2011年，德州仪器
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