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外围工作要求和行为
6.4.1.3
符号
I
DD_PGM
I
DD_ERS
闪存高压电流行为
描述
在高电压平均电流加法器
闪存编程操作
在高电压平均电流加法器
闪存擦除操作
分钟。
—
—
表21.闪存高压电流行为
典型值。
2.5
1.5
马克斯。
6.0
4.0
单位
mA
mA
6.4.1.4
符号
可靠性特定网络阳离子
描述
表22. NVM可靠性指标
分钟。
节目FL灰
5
20
10 K
数据闪存
5
20
10 K
包括FlexRAM的EEPROM
5
20
35 K
315 K
1.27 M
10 M
典型值。
1
50
100
50 K
50
100
50 K
50
100
175 K
1.6 M
6.4 M
50 M
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
岁月
岁月
周期
岁月
岁月
周期
岁月
岁月
3
写到
写到
写到
写到
2
2
笔记
t
nvmretp10k
数据保留经过长达10千次
t
nvmretp1k
n
nvmcycp
数据保留后1 k个圈
自行车耐力
t
nvmretd10k
数据保留经过长达10千次
t
nvmretd1k
n
nvmcycd
数据保留后1 k个圈
自行车耐力
t
nvmretee100
数据保留最多的写入寿命为100 ％
t
nvmretee10
数据保持长达擦写次数的10％
读写次数
n
nvmwree16
n
nvmwree128
n
nvmwree512
n
nvmwree4k
EEPROM备份包括FlexRAM比= 16
EEPROM备份包括FlexRAM比率= 128
EEPROM备份包括FlexRAM比率= 512
EEPROM备份包括FlexRAM比= 4096
1.典型的数据保留值是根据测量的响应在高温加速和减额至一恒定
25°C时使用的配置文件。工程公告EB618并不适用于这种技术。在工程中定义的典型耐力
公告EB619 。
2.骑自行车耐力表示节目数量/擦除周期在-40 ° C≤牛逼
j
≤ °C.
3.写耐力表示在-40写入每个包括FlexRAM位置的数量℃， ≤Tj ≤ ℃，受单车
耐力的FlexNVM （值相同的数据闪存）和每个子系统分配的EEPROM备份。最小和
典型值假设所有字节写入包括FlexRAM 。
K21次系列数据表数据表，第3版， 08/2012 。
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飞思卡尔半导体公司
