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修订4
Fusion系列混合信号FPGA的
特点和优点
高性能编程的Flash技术
先进的130纳米， 7层金属，基于闪存的CMOS工艺
非易失性的，当电源关闭保留节目
即时在单芯片解决方案
350 MHz的系统性能
在系统编程（ ISP）和安全性
ISP经由JTAG 128位的AES
的FlashLock
旨在保护FPGA内容
先进的数字I / O
1.5 V， 1.8 V ， 2.5 V和3.3 V混合电压操作
银行可选的I / O电压 - 高达5家银行每芯片
单端I / O标准： LVTTL ， LVCMOS
3.3 V / 2.5 V /1.8 V / 1.5 V， 3.3 V PCI / 3.3 V PCI -X和
LVCMOS 2.5 V / 5.0 V输入
差分I / O标准： LVPECL ， LVDS ，B - LVDS ， M- LVDS
- 内置I / O寄存器
- 700 Mbps的DDR操作
热插拔的I / O
可编程输出摆率，驱动强度，弱
上拉/下拉电阻
引脚兼容的跨越融合套餐
家庭
嵌入式闪存
用户闪存 - 2兆至8兆比特
- 可配置的8位，16位或32位数据通路
- 10 ns的预读模式访问
1附加FlashROM中的千位
集成的A / D转换器（ ADC）和模拟I / O
高达12位分辨率和高达600 Ksps起至
内部2.56 V或外部参考电压
ADC ：最多30个可扩展的模拟输入通道
高电压输入公差： -10.5 V至+12 V
电流监控和温度监控模块
截至10 MOSFET栅极驱动器输出
- P和N沟道功率MOSFET技术支持
- 可编程的1 ， 3 ， 10 ， 30 μA和20 mA驱动优势
ADC精度是优于1％
静态存储器和FIFO
可变纵横4608位的SRAM块（ ×1，× 2，× 4 ， ×9 ，
和× 18个组织提供）
真正的双端口SRAM （除× 18 ）
- 可编程嵌入式FIFO控制逻辑
片内时钟支持
内置100 MHz的RC振荡器（精确到1 ％ ）
晶体振荡器支持（ 32千赫到20兆赫）
可编程实时计数器（ RTC ）
6时钟调整电路（CCC ），有1或2个集成的PLL
- 相移，乘法/除法和延迟功能
- 频率：输入1.5-350兆赫，输出0.75-350兆赫
软的ARM Cortex -M1 Fusion器件（ M1 ）
- ARM
Cortex-M1–Enabled
的Pigeon Point ATCA的IP支持（ P1 ）
有针对性的鸽子点
板卡管理参考
（ BMR ）入门套件
合作设计的Pigeon Point系统
ARM的Cortex -M1已启用
有针对性的高级夹层卡（的AdvancedMC 设计）
设计的合作与MicroBlade
基于8051的模块管理控制器（ MMC ）
低功耗
3.3 V单电源，带有片上1.5 V稳压器
休眠和待机低功耗模式
MicroBlade高级夹层卡支持（ U1 ）
表1 Fusion系列
聚变装置
ARM的Cortex -M1
*
器件
的Pigeon Point设备
MicroBlade设备
系统门
一般
信息
瓷砖（D-触发器）
安全（ AES ） ISP
锁相环
全局
闪存块（ 2兆）
总的Flash存储器位
内存
FlashROM的位
RAM块（ 4,608位）
RAM千位
模拟四边形
模拟输入通道
模拟和I / O的
栅极驱动器输出
I / O组（ + JTAG ）
最大数字I / O的
模拟I / O
90,000
2,304
是的
1
18
1
2M
1,024
6
27
5
15
5
4
75
20
U1AFS250
250,000
6,144
是的
1
18
1
2M
1,024
8
36
6
18
6
4
114
24
AFS090
AFS250
M1AFS250
AFS600
M1AFS600
P1AFS600
U1AFS600
600,000
13,824
是的
2
18
2
4M
1,024
24
108
10
30
10
5
172
40
AFS1500
M1AFS1500
P1AFS1500
U1AFS1500
1,500,000
38,400
是的
2
18
4
8M
1,024
60
270
10
30
10
5
252
40
注意：
*请参阅
Cortex-M1
产品简介以获取更多信息。
2013年1月
2013 Microsemi的公司
I
