LTC3780
应用信息
仔细检查的T
J
在70 ° C环境温度的MOSFET
温度：
T
J
= 70 ° C + 1.94W 40 ° C / W = 147.6 ℃，
Switch B的最大功耗发生在
降压模式。假设T的结温
J
= 80°C
同
ρ
80°C
= 1.2 ，在V中的功率耗散
IN
= 18V是：
C
IN
是选择滤波器的平方电流降压模式。在
此模式中，最大输入电流的峰值是：
29%
I
IN， PEAK （ MAX ， BUCK ）
=
5
1
+
=
5.7 A
2
低ESR （为10mΩ ）电容选择。输入电压
纹波为57mV （假设ESR主宰波动） 。
C
OUT
是选择滤波器的平方电流升压模式。
在这种模式下，最大输出电流的峰值是：
I
OUT ， PEAK （ MAX ， BOOST ）
=
12
11%
5
1
+
=
10.6 A
5
2
P
B， BUCK
=
18 – 12
2
5
1.2
0.009 = 90mW的
18
仔细检查的T
J
在MOSFET ，在70 ℃的环境
温度：
T
J
= 70 ° C + 0.09W 40 ° C / W = 73.6 ℃，
开关C的最大功耗发生在升压
模式。假设T的结温
J
= 110 ℃用
ρ
110°C
= 1.4 ，在V中的功率耗散
IN
= 5V是：
P
C， BOOST
=
低ESR （ 5mΩ的）电容建议。该电容
将限制输出电压纹波为53mV （假设ESR
主宰波动） 。
PC板布局清单
基本的PC板布局需要一个专用的接地
面层。此外，对于高电流，多层电路板
为功率元件散热。
在接地层应该不会有任何痕迹和
它应该尽可能靠近，以与电源层
的MOSFET。
地方
IN
，交换机A ，交换机B和D1在一个的COM
协议的区域。地方
OUT
，开关C，开关D和D2
一个紧凑的面积。一种布局的例子示于
网络连接gure 10 。
V
IN
SW2
L
QA
D1
QB
C
IN
R
SENSE
LTC3780
CKT
GND
3780 F10
(
12 – 5
)
12 5
2
1.4 0.009
5
2
5
+
2 12
3
150P 400K
=
1.27W
5
仔细检查的T
J
在MOSFET ，在70 ℃的环境
温度：
T
J
= 70 ° C + 1.08W 40 ° C / W = 113℃
开关D的最大功耗发生
在升压模式时，其占空比高于50％ 。
假设T的结温
J
= 100 ℃用
ρ
100°C
= 1.35 ，在V中的功率耗散
IN
= 5V是：
5
12
P
D， BOOST
=
5
1.35 0.009
=
0.73W
12
5
仔细检查的T
J
在MOSFET ，在70 ℃的环境
温度：
T
J
= 70 ° C + 0.73W 40 ° C / W = 99℃
2
SW1
D2
QD
V
OUT
QC
C
OUT
图10.开关布局
3780ff
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欲了解更多信息
www.linear.com/LTC3780
