LTC4266A/LTC4266C
应用信息
外部MOSFET
仔细选择功率MOSFET的是系统的关键
可靠性。 LTC建议无论是飞兆半导体IRFM120A ，
FDT3612 ， FDMC3612或飞利浦PHT6NQ10T其
第1类和2类PSE应用验证的可靠性。
提供超过当前的非标准应用
在850毫安IEEE最高可能需要散热和
其他MOSFET设计考量。联系LTC AP-
使用的MOSFET以外的其中一个之前褶皱
推荐的零件。
检测电阻器
该LTC4266A / LTC4266C被设计为使用0.5Ω或
0.25Ω的电流检测电阻。对于新的设计0.25Ω是
建议降低功耗;在OP- 0.5Ω
化的目的是为现有的系统，其中所述LTC4266A /
LTC4266C作为简易替换为LTC4258
或LTC4259A 。较低的检测电阻值降低
散热。四种常用的1Ω电阻
（ 0402或更大的封装尺寸）可用于在平行于
地方一个0.25Ω电阻。为了满足我
切
我
LIM
由IEEE规范所要求的精度，在
检测电阻应该有± 1 ％的容差或更好，
不超过± 200ppm的/ ° C的温度系数等等。
端口输出帽
每个端口都需要在其输出一个0.22pF帽
保持LTC4266A / LTC4266C稳定，而在限流
在启动或过载。常见的陶瓷电容器
经常有显著的电压系数;这意味着
电容减小所施加的电压的增加而增加。
为了减少这种问题， X7R陶瓷电容器额定
为至少100V的推荐。
ESD /电缆放电保护
以太网端口会受到显著ESD事件时
长的数据线，每个可能被控以十万
伏，插入到RJ45的低阻抗
插孔。为了防止损坏，每个端口需要一对
的钳位二极管;一到AGND和一个V
EE
（图10） 。
一个额外的浪涌抑制器必须为每个
从V LTC4266A / LTC4266C芯片
EE
到AGND 。二极管
在端口转向的有害浪涌进入电源轨，
在那里它们被由浪涌抑制器和吸收
V
EE
旁路电容。浪涌抑制器有
保护LTC4266A / LTC4266C的额外好处
从在V瞬变
EE
供应量。
S1B二极管工作以及端口钳位二极管，和一个
SMAJ58A或等效建议对于V
EE
浪涌
抑制器。
布局指南
严格遵守电路板布局，器件布局和
路由准则是最佳电流读数关键
荷兰国际集团的精度， IEEE合规性，系统稳定性，并
热耗散。
电力输送25.5W以上规定的其他康波
新界东北和布局限制。具体来说MOSFET，检测
电阻器和变压器的选择是至关重要的安全
可靠的系统运行。
联系的LTC应用以获得完整的一套布局的
指导方针，例如布局和物料清单。
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