LTC4085
手术
编程电流限
公式输入电流限制为：
1000
1000V
I
CL
=
V
CLPROG
=
R
CLPROG
R
CLPROG
其中，V
CLPROG
是CLPROG引脚电压，R
CLPROG
是从CLPROG引脚与地的总电阻。
例如，如果需要典型500毫安电流限制，
计算：
R
CLPROG
=
1V
1000
=
2k
500mA
通风口OUT引脚的电压跌落显著低于
BAT引脚电压。的的I-V曲线的比较
理想二极管和肖特基二极管可以看出，在图3中。
如果超出了设定的输入电流的增大
输入电流限制的额外电流将从绘制
经由内部理想二极管电池。此外，如果
电源IN（ USB V
公共汽车
）或OUT （外墙适配器）
除去，然后所有的应用的功率将被提供
通过经由了理想二极管的电池。一个4.7μF的电容，在输出
足以使过渡从输入电源到电池
功率造成显着的输出电压下降。该
理想二极管由一个精密放大器器，使一对
大P沟道MOSFET晶体管每当电压
在OUT大约为20mV （V
FWD
）以下的电压
BAT 。内部理想二极管的电阻值近似
三方共同在200mΩ 。如果这是足够的应用程序，然后
无需外部元件是必要的。然而，如果更多
电导是需要的，一个外部PFET可以从加
BAT至OUT 。该LTC4085的GATE引脚驱动门
器的PFET自动理想二极管控制。源
的外部PFET的应连接到OUT和
排水管应连接到BAT 。为了帮助保护
在过流情况下的外部PFET ，它应该是
放在靠近热接触的LTC4085 。
I
最大
在USB应用，对于R的最小值
CLPROG
应该是2.1k 。这将防止施加电流
超出500毫安由于LTC4085的公差和
静态电流。一个2.1k的电阻CLPROG会给
476毫安在高功率模式下典型电流限制
（ HPWR = 1）或95毫安在低功耗模式（ HPWR = 0）。
V
CLPROG
将根据跟着跟踪输入电流
以下公式：
I
IN
=
V
CLPROG
1000
R
CLPROG
对在不同温度和时间， 1％的金属最好的稳定性
薄膜电阻器建议。
从BAT至OUT理想二极管
的LTC4085具有内部理想二极管，以及一个反面
控制器为一个可选的外部理想二极管。如果电池是
唯一可用电源，或者如果负载电流超过
编程输入电流限制，则电池将
通过一个理想二极管自动提供给负载供电
在BAT和OUT引脚之间的电路。理想二极管
电路（连同推荐
4.7μF
电容上
OUT引脚）使LTC4085处理大瞬间
负载和墙上适配器或USB V
公共汽车
连接/断开
场景，而不需要大的大容量电容器。该
理想的二极管中的一个几微秒和预反应
电流（A ）
坡度： 1 / R
DIO （ON）的
肖特基
二极管
4085 F03
V
FWD
正向电压（ V）
（ BAT -OUT ）
图3. LTC4085肖特基二极管VS正向电压降
4085fd
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