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LTC3866
应用信息
这种设计将要求0.33μH 。该伍尔特744301033 ,
0.32μH电感器被选择。在标称输入电压
(12V )时,纹波电流将是:
MOSFET的结果,R
DS ( ON)
= 7.1mΩ (最大) ,V
磨坊主
=
2.8V ,C
磨坊主
35pF 。在最大输入电压为T
J
(估计值) = 75℃ :
1.5V
(
30A
)
2
[
1+(0.005)(75°C – 25°C)
]
20V
30A
(
0.0071Ω
)
+
(
20V
)
2
(
) (
35pF
)
2
1
1
+
5.5V – 2.8V 2.8V
(
400kHz
)
=
599mW
+
122mW
P
=
=
721mW
V
OUT
V
OUT
1
I
L( NOM )
=
V
F-L
IN( NOM )
它将具有10A (33%)的纹波。峰值电感电流
将最大直流值加上二分之一的波纹
电流或35A 。
最小导通时间发生在最大V
IN
应不小于为90ns :
t
开(分钟)
=
V
IN (MAX)
f
V
OUT
=
1.5V
=
187ns
20V(400kHz)
对于一个0.32mΩ的DCR ,短路到地,将导致
中的一个折回电流:
I
SC
=
DCR检测用于该电路。如果C1和C2进行选择
为220nF的基础上,选择0.33μH电感
0.32mΩ的DCR中,R 1和R 2可被计算为:
L
=
4.69k
DCR C1
L
R2
=
=
937Ω
DCR C2 5
R1=
(
1/ 3
)
15mV的 - 1
90ns(20V)
=
12.9A
0.0032Ω
2
0.33H
英飞凌BSC010NE2LS ,R
DS ( ON)
= 1.1mΩ ,选择
用于底层的FET 。将得到的功率损耗是:
20V – 1.5V
(
30A
)
2
20V
1+
(
0.005
)
(
75°C – 25°C
)
0.0011Ω
P
SYNC
=
选择R1 = 4.64k和R2 = 931Ω 。
电感的最大DCR是0.34Ω 。该
V
SENSE ( MAX)
计算公式为:
V
SENSE ( MAX)
= I
PEAK
- DCR
最大
= 12mV
选择电流限制为15mV的。如果温度
变化被认为是请参阅电感器DCR
感应温度补偿用NTC热敏电阻。
在上行路上, MOSFET的功耗可
很容易估计。选择英飞凌BSC050NE2LS
P
SYNC
= 1.14W
C
IN
被选择用于在等效RMS电流额定值
至少13.7A 。
OUT
被选择为一个等效的ESR
4.5mΩ的低输出纹波。输出纹波continu-
OU的方式将是最高的最大输入电压。
输出电压纹波由于ESR大约是:
V
Oripple
= R
ESR
(I
L
) = 0.0045Ω 10A = 45mV
P-P
进一步降低输出电压纹波可以制成
通过放置一个100μF的陶瓷电容C两端
OUT
.
3866fa
29

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