LTC3866
应用信息
V
IN
V
GS
米勒效应
a
Q
IN
C
磨坊主
= (Q
B
– Q
A
)/V
DS
b
V
GS
V
+
–
+
V
DS
–
3766 F07
图7.栅极电荷特性
哪里
δ
为R的温度依赖性
DS （ ON）
, R
DR
为有效顶部驱动电阻（大约在2Ω
V
GS
= V
磨坊主
), V
IN
是漏极电位和变化
在漏极电位在特定的应用。 V
TH（分钟）
是数据表特定网络版的典型栅极阈值电压
在特定网络编辑特定网络版，在功率MOSFET的数据表
漏极电流。
磨坊主
是使用计算出的电容
从MOSFET的数据表中的栅极电荷曲线
上面描述的技术。
两个MOSFET有我
2
损失，而上部N沟道
公式包含一个附加的术语转换损耗，
该峰在最高输入电压。对于V
IN
< 20V ，
大电流EF网络效率普遍提高较大
的MOSFET ，而对于V
IN
> 20V时，转换损耗迅速
增加的点，使用了更高的R
DS （ ON）
设备
低
磨坊主
实际上提供了更高的效率。该
同步MOSFET的损耗是最大的，在高输入
电压时的顶开关占空因数低或中
短路时，同步开关是关闭时
于周期的100％。
术语（1+
δ
）一般为在一个给定的MOSFET
归一化的R形
DS （ ON）
与温度的曲线，但
δ
= 0.005 / ℃，可以作为一种近似为低
电压的MOSFET 。
整个同步可选肖特基二极管
在CON组之间的死区时间的MOSFET导通
duction两个大的功率MOSFET 。这防止了
从接通底部MOSFET的体二极管，存储
在死区时间进行充电，并规定一个反向恢
这可能花费高达百分之几的红霉素期
效率。 A 2A至8A肖特基通常是一个很好的COM
由于相对保证操作的两个区域
小的平均电流。较大的二极管导致额外的
过渡损失由于其较大的结电容。
C
IN
和C
OUT
选择
在连续模式中，高端MOSFET的源极电流
为方波的占空比（Ⅴ
OUT
)/(V
IN
） 。为了防止
大的瞬态电压，低ESR电容的大小为
最大RMS电流一个信道必须被使用。该
最大RMS电容器的电流由下式给出：
由于漏 - 栅电容累积和
栅极 - 源极电容。米勒电荷（在
在横轴上增加以库仑从a到b
而曲线是平的）被指定为给定的V
DS
漏
电压，但可以调整为不同的V
DS
通过电压
应用程序Ⅴ的比乘以
DS
到曲线
特定网络版V
DS
值。一种方法来估计了C
磨坊主
TERM
是采取从点a和b中的栅极电荷的变化
在制造商的数据表，然后除以规定的
V
DS
电压特定网络版。
磨坊主
是最重要的SE-
经文准则决定过渡损耗项中
高端MOSFET ，但并不直接作用于MOSFET的指定
数据表。
RSS
和C
OS
在特定网络版，但有时
不包括这些参数的定义。当
控制器在连续模式下工作的工作循环
对于顶部和底部MOSFET是由下式给出：
V
主开关管的占空比
=
OUT
V
IN
V
IN
– V
OUT
同步开关的占空比
=
V
IN
功耗为主体和同步
MOSFET的最大输出电流由下式给出：
P
主
=
V
OUT
I
最大
V
IN
(
)
2
(
1+
δ
)
R
DS （ ON）
+
2
I
最大
(
R
DR
)
(
C
磨坊主
)
(
V
IN
)
2
1
1
f
+
V
INTVCC
– V
TH（分钟）
V
TH（分钟）
P
SYNC
=
V
IN
– V
OUT
I
最大
V
IN
(
)
2
(
1+
δ
)
R
DS （ ON）
C
IN
需要我
RMS
≈
1/2
I
最大
(
V
OUT
) (
V
IN
– V
OUT
)
V
IN
3866fa
19
