LTC3835
应用信息
电感突然崩溃时的峰值电流的设计
被超过。这导致电感器的突然增加
纹波电流和由此产生的输出电压纹波。办
不允许该芯饱和！
功率MOSFET和肖特基二极管（可选）
选择
两个外部功率MOSFET必须被选择用于
LTC3835 ：一个N沟道MOSFET的顶部（主）
开关，以及一个N-沟道MOSFET的底部（同步
异步的）开关。
的峰 - 峰值驱动电平由INTV设置
CC
电压。
这个电压通常在启动期间5V（见EXTV
CC
针
连接） 。因此，逻辑电平阈值的MOSFET
必须在大多数应用中使用。唯一例外的
如果是低输入电压的预期（V
IN
< 5V ） ;然后，分
逻辑电平MOSFET的阈值（V
GS （ TH）
< 3V ）应
使用。密切关注BV
DSS
规范
MOSFET的为好;大部分的逻辑电平MOSFET的是
限于30V或更少。
对功率MOSFET的选择标准包括“ON”的
电阻R
DS （ ON）
米勒电容C
磨坊主
输入
电压和最大输出电流。米勒电容，
C
磨坊主
可以从栅极电荷曲线来近似
通常设置在MOSFET的制造商的数据
表。
磨坊主
等于增加的栅极电荷
沿水平轴，而曲线近似
佛罗里达州在通过V的特定网络版的变化划分
DS
。这个结果是
然后，通过施加V中的应用程序的比率乘以
DS
到栅极电荷曲线特定网络版V
DS
。当IC是
在连续模式中操作的工作周期为顶端
和低端MOSFET由下式给出：
主开关管的占空比
=
V
OUT
V
IN
V
IN
– V
OUT
V
IN
该MOSFET的功耗最大输出
电流由下式给出：
P
主
=
V
OUT
(
I
最大
)
2
(
1+
d
)
R
DS （ ON）
+
V
IN
(
V
IN
)
2
I
最大
(
R
DR
)(
C
磨坊主
)
2
1
1
+
(
f
)
V
INTVCC
– V
THmin
V
THmin
V –V
2
P
SYNC
=
IN OUT
(
I
最大
)
(
1+
d
)
R
DS （ ON）
V
IN
哪里
d
为R的温度依赖性
DS （ ON）
和
R
DR
（约2Ω ）为有效驱动电阻
在MOSFET的米勒门限电压。 V
THmin
为
典型MOSFET的最小阈值电压。
两个MOSFET有我
2
损失，而上部N沟道
公式包含一个附加的术语转换损耗，
这是最高的，在高输入电压。对于V
IN
< 20V
大电流EF网络效率普遍提高较大
的MOSFET ，而对于V
IN
> 20V的转换损耗迅速
增加的点，使用了更高的R
DS （ ON）
设备
低
磨坊主
实际上提供了更高的效率。该
同步MOSFET的损耗是最大的，在高输入
电压时的顶开关占空因数低或中
短路时，同步开关是关闭时
于周期的100％。
术语（1 + d）的一般为在一个给定的MOSFET
归一化的R形
DS （ ON）
与温度的曲线，但
d
= 0.005 / ℃，可以作为一种近似为低
电压的MOSFET 。
可选的肖特基二极管D1 ，如图6所示行为
在2的导通之间的死区时间
功率MOSFET。这防止的体二极管
从开启，在存储电荷的底部MOSFET
死区时间和要求的反向恢复期间那
可在效率高V售价高达3 ％
IN
. A 1A
以3A肖特基通常是一个很好的妥协为
操作由于相对小的平均区域
电流。更大的二极管产生额外的损失转型
由于其较大的结电容。
3835fd
同步开关的占空比
=
14
