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LTC3728L/LTC3728LX
应用信息
哪里
d
为R的温度依赖性
DS （ ON）
和
R
DR
（约4Ω ）为有效驱动电阻
在MOSFET的米勒门限电压。 V
TH（分钟）
为
典型MOSFET的最小阈值电压。
两个MOSFET有我
2
损失，而上部N沟道
公式包含一个附加的术语转换损耗，
这是最高的，在高输入电压。对于V
IN
< 20V
大电流EF网络效率普遍提高较大
的MOSFET ，而对于V
IN
> 20V的转换损耗迅速
增加的点，使用了更高的R
DS （ ON）
设备
低
磨坊主
实际上提供了更高的效率。该
同步MOSFET的损耗是最大的，在高输入
电压时的顶开关占空因数低或中
短路时，同步开关是关闭时
于周期的100％。
术语（1+
d)
在MOSFET的一般定
归一化的R形
DS （ ON）
与温度的曲线，但
d
= 0.005 / ℃，可以作为一种近似为低
电压的MOSFET 。
肖特基二极管，D1，在图1所示过程中进行
两电的传导之间的死区时间
的MOSFET。这防止了底部的体二极管
在死区开启，存储电荷MOSFET
时间和要求在反向恢复期间，可以
成本高达3％，效率高得五世
IN
。为1A至3A
肖特基通常是一个很好的妥协这两个地区
操作由于相对小的平均电流。
更大的二极管导致由于额外的转换损耗
其较大的结电容。
C
IN
和C
OUT
选择
C的选择
IN
被简化的由多相AR-
民族形式和其上的RMS电流的最坏情况下的冲击
通过输入网络（电池/保险丝/电容）绘制。
它可以表明， RMS电流最坏情况的发生
当只有一个控制器运行。该控制器
具有最高（Ⅴ
OUT
)(I
OUT
）产物需要使用
在随后的公式来确定最大
RMS电流的要求。增加输出电流，
从异相的其它控制器实际引出，将
降低输入RMS纹波电流从该最大
值（参见图4） 。异相的技术中通常
降低了输入电容的RMS纹波电流通过
相比单相的30 ％至70％的因素
电源解决方案。
输入电容值和ESR的评价都的类型
需要在selec-要考虑效率的影响
化的过程。所选择的电容值应
苏夫网络cient储存足够电量来维持高峰
电池电流下降。 20μF至40μF通常是苏夫网络cient
一个25W输出电源在200kHz工作。的ESR
该电容器是电容器的功率耗散重要
以及整体的电池EF网络效率。所有的权力（ RMS
纹波电流 ESR ） ，不仅加热了电容，但
浪费功率从电池。
中压（ 20V至35V ）的陶瓷电容，钽电容， OS- CON
和转接器额定电解电容器可用于
作为输入电容，但每个都有缺点：陶瓷
电压系数都非常高，并且可以具有可听
压电效应;钽需要浪涌级;
OS- CON外，从更高的电感，更大尺寸的情况下吃亏
和有限的表面贴装应用;电解“
较高的ESR和干燥的可能性需要数以
使用。多相系统允许的最低金额
整体电容。短短的一个22μF或两到三
10μF的陶瓷电容在20W到一个理想的选择
由于其极低的ESR 35W电源。连
虽然该电容在20V基本上低于其
等级在零偏置，极低的ESR流失，使陶瓷
操作的理想选择，最高的英法fi电池效率
系统。也可以考虑并行陶瓷和高品质
电解电容作为实现的有效手段
ESR和大容量电容的目标。
在连续模式下，顶N-沟道的源极电流
MOSFET是方波的占空比V
OUT
/V
IN
。为了防止
大的瞬态电压，低ESR的输入电容的大小
对于最大RMS电流一个信道的一定
使用。最大RMS电容器的电流由下式给出：
C
IN
REQUIREDI
RMS
≈
I
最大
V
OUT
(
V
IN
V
OUT
)
V
IN
1/2
该式具有最大值在V
IN
= 2V
OUT
，在那里我
RMS
= I
OUT
/ 2 。这个简单的最坏情况是常见的
用于设计，因为即使是显著的偏差不
提供多少援助。需要注意的是电容制造商的纹波
3728lxff
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