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LTC1871
应用信息
值得注意的是，在这里， SEPIC转换器，其操作
在高占空比（即，即开发出高输出电压
年龄从低输入电压），可以有非常高的输入
电流，相对于所述输出电流。一定要检查
的最大负载电流不会过载输入
供应量。
SEPIC转换器：电感的选择
对于大多数SEPIC应用的平等电感值
会落在10μH到100μH的范围内。数值越高
降低输入纹波电压和降低铁损。
较低的电感值的选择，以减少物理尺寸
并改善瞬态响应。
像的升压转换器，所述SEPIC的输入电流
转换器，计算在满负荷电流和最小
输入电压。峰值电感电流可以显着
比输出电流高，特别是具有较小IN-
ductors和更轻的负载。下面的公式假定
CCM工作模式，并计算最大峰值电感
电流在最小V
IN
:
I
L1(PEAK)
=
1+
I
L2(PEAK)
=
1+
2
2
I
O（最大值）
I
O（最大值）
V
O
+
V
D
V
IN（分钟）
V
IN（分钟）
+
V
D
V
IN（分钟）
例如，一个Coiltronix CTX10-4是10μH电感的两个
绕组。与并联绕组， 10μH电感是
与图4A的电流额定值（匝数得到
没有变化，但导线直径增加了一倍） 。不分流
婷两个绕组产生两个10μH的电感与
每个2A电流额定值。因此，取代2L收益率
下面的等式用于耦合的电感器：
V
IN（分钟）
L1= L2
=
D
2 I
L
f
最大
指定最大电感电流安全地处理
I
L（ PK）
特定网络连接编上面的等式中。饱和
额定电流的电感，应在被检查
最小输入电压（其导致最高
电感电流）和最大输出电流。
SEPIC转换器：功率MOSFET选择
功率MOSFET有两个目的，在LTC1871 ：
它代表在电源路径中的主开关元件，
和它的R
DS （ ON）
表示电流传感元件
用于控制环路。为电源的重要参数
MOSFET的包含漏 - 源极击穿电压
（ BV
DSS
） ，阈值电压（V
GS （ TH）
）时，导通电阻
(R
DS （ ON）
）与栅 - 源电压，栅极 - 源极
和栅极 - 漏极电荷（Q
GS
和Q
GD
分别） ，
最大漏极电流（I
D（最大）
）和MOSFET的
热阻（R
TH （JC）
和R
日（ JA ）
).
的栅极驱动电压由5.2V INTV设置
CC
低
降稳压器。因此，逻辑电平阈值
的MOSFET应在最LTC1871应用中使用。
如果期望低输入电压操作（例如，供给
功率从一个锂离子电池），那么子逻辑电平
阈值的MOSFET应该被使用。
的最大电压的MOSFET开关必须
在关断时间在一个SEPIC转换器维持等于
于输入和输出电压之和（Ⅴ
O
+ V
IN
).
因此，必须小心注意支付给BV
DSS
特定网络连接的阳离子为MOSFET的相对于最大
实际的开关电压的应用。许多逻辑电平
设备被限制在30V或更低。检查开关
直接波形跨越漏极和源极端
功率MOSFET ，以确保在V的
DS
仍低于
的最大额定值的装置。
1871fe
在电感中的纹波电流通常为20 ％至40％
（即，一系列“ χ ”从0.20到0.40的）最大的
在V出现的平均输入电流
IN（分钟）
我
O（最大值）
和
ΔI
L1
=
ΔI
L2
。表达该脉动电流的一个函数
输出电流的结果为下面的等式
计算电感值：
L
=
V
IN（分钟）
I
L
f
D
最大
D
最大
1– D
最大
其中：
I
L
=
I
O（最大值）
通过L1 = L2和缠绕其上相同的核心，
上述电感的公式中的值替换
由2L由于互感。这样做可以保持
相同的纹波电流和能量存储在电感器。为
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