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恩智浦半导体
LPC178x/7x
32位ARM Cortex -M3微控制器
EMC_Ax
RD
1
EMC_CSx
RD
2
EMC_OE
RD
3
EMC_BLSx
RD
7
WR
3
EMC_WE
RD
5
RD
5
RD
5
RD
5
EMC_Dx
EOR
EOW
002aag215
WR
1
WR
8
RD
4
RD
7
WR
4
WR
8
WR
5
WR
7
RD
6
WR
2
WR
6
图17.外部静态存储器读/写访问（ PB = 1 ）
EMC_Ax
EMC_CSx
EMC_OE
EMC_BLSx
EMC_WE
RD
5
RD
5
RD
5
RD
5
EMC_Dx
002aag216
图18.外部静态存储器突发读取周期
动态特性：动态的外部存储器接口，读出位策略
（ RD位） = 00
C
L
= 10 pF的，T
AMB
=
40
C至85
C，V
DD(3V3)
= 3.0 V至3.6 V.所有可编程延迟
EMCDLYCTL被绕过。值保证了设计。
符号
T
CY （ CLK ）
t
D（ SV）
t
H（ S）
t
D（ RASV ）
t
小时（ RAS）的
t
D（ CASV ）
LPC178X_7X
表18 。
参数
时钟周期时间
片选有效的延迟时间
芯片选择保持时间
行地址选通信号的有效延迟时间
行地址选通信号的保持时间
列地址选通信有效延迟时间
本文档中提供的所有信息受法律免责声明。
民
[1]
最大
-
6.2
3.3
6.2
3.5
6.2
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
常见的读，写周期
12.5
2.9
1.2
2.8
1.3
2.8
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初步数据表
第4版 - 2012年5月1日
84 120
