恩智浦半导体
LPC178x/7x
32位ARM Cortex -M3微控制器
18.修订历史
表35 。
修订历史
发布日期
20120501
数据表状态
初步数据表
变更通知
-
SUPERSEDES
-
文档ID
LPC178X_7X第4节
LPC178X_7X第3节
莫迪科幻阳离子：
编辑更新。
加入BOD值
第7.34.2 。
参数T
CSLBLSL
, t
CSHOEH
, t
OEHANV
, t
DEACT
, t
BLSHEOW
, t
BLSHDNV
在更新
表17 。
C
L
= 10 pF的加入
表24 ，表26 ，表28 。
I
DD(REG)(3V3)
在纠正
表13
条件为深度睡眠模式，省电模式，
深度掉电模式。
I
BAT
在纠正
表13
对于病情深度掉电模式。
在耗电量数据
图9
和
图10
纠正。
I / O电压V
DD(3V3)
在指定的
表17 ，表18 ，表19 ，表24 ，表28 。
V
DD(3V3)
在校正范围
表23 。
参数C
L
更改为10 pF适用于在EMC时机
表17
to
表20 。
USB和以太网动态特性除去。时序特性跟随
USB 2.0
规范
（全速）
和
IEEE标准802.3 。
标准（见
第7.15节
和
第7.14节
遵守语句） 。
垫特性更新
表3中。
参数I
BAT
在更新
表13 。
图11
补充说。
SDRAM时序纠正了
图19 。
加EEPROM的擦除和编程时间（表
16).
数据表状态更改为初步。
目标数据表
-
-
从引脚P3 [ 14 ]去掉开机功能。
I
BAT
我
DD(REG)(3V3)
在表13中更新的深度掉电模式。
80 MHz最大SDRAM的时钟在第2节规定，表18和表19 。
电力消耗数据相加（图9和图10）。
移除参数Z
DRV
在表13中。
对于参数C指定最大值
L
如表33和去除的典型值。
升压位表14中指定的设置，表注5和表13 ，表注6 。
USB连接图更新（图33至图36）。
第7.33.6规定的电池电源电流消耗情况。
表13表10注更新。
更新ADC特性（见表31 ） 。
第14.6节“复位引脚配置RTC运行”添加。
EEPROM的大小为零件在表2和图1 LPC1774校正。
变更的功能LCD_VD [ 5 ]引脚P0 [ 10 ] ，以保留。
变更的功能LCD_VD [ 10 ]引脚P0 [ 11 ] ，以保留。
变更的功能LCD_VD [ 13 ]引脚P0 [ 19 ] ，以保留。
变更的功能LCD_VD [ 14 ]引脚P0 [ 20 ] ，以保留。
ADC接口模型更新（见表32和图30）。
20111220
LPC178X_7X
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初步数据表
第4版 - 2012年5月1日
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