LP2998
www.ti.com
SNVS521I - 2007年12月 - 修订2013年4月
(1) (2)
绝对最大额定值
AVIN至GND
PVIN至GND
VDDQ
(3)
0.3V
为+ 6V
-0.3V至AVIN
0.3V
为+ 6V
65°C
至+ 150°C
150°C
260°C
151°C/W
43°C/W
1kV
储存温度。范围
结温
焊接温度（焊接， 10秒）
SOIC - 8热阻（ θ
JA
)
使用PowerPad SO -8热阻（ θ
JA
)
最低ESD额定值
(1)
(4)
(2)
(3)
(4)
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作范围是指在该条件
该装置旨在是功能性的，但并不能保证特定性能极限。为保证规范和测试条件
见电气特性。所确保的规范仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能
降低当装置未列出的测试条件下操作。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
VDDQ电压必须小于2× （ AVIN - 1）或6V，较小的一个。
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。
工作范围
结温。范围
AVIN至GND
(1)
(1)
-40°C至+ 125°C
2.2V至5.5V
在升高的温度下，设备必须基于热电阻降额。在SOIC -8封装的器件必须在被降级
θ
JA
= 151.2 ° C / W结到环境没有散热片。
电气特性
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
黑体字
适用于整个
操作
温度范围
(T
J
= -40 ° C至+ 125°C ）
(1)
。除非另有说明，VIN = AVIN = PVIN = 2.5V 。
参数
V
REF
电压（ DDR I ）
测试条件
VIN = VDDQ = 2.3V
VIN = VDDQ = 2.5V
VIN = VDDQ = 2.7V
V
REF
电压（ DDR II ）
V
REF
V
REF
电压（ DDR III ）
PVIN = VDDQ = 1.7V
PVIN = VDDQ = 1.8V
PVIN = VDDQ = 1.9V
PVIN = VDDQ = 1.35V
PVIN = VDDQ = 1.5V
PVIN = VDDQ = 1.6V
Z
VREF
V
REF
输出阻抗
I
REF
= -30至30微安
民
1.135
1.235
1.335
0.837
0.887
0.936
0.669
0.743
0.793
典型值
1.158
1.258
1.358
0.860
0.910
0.959
0.684
0.758
0.808
2.5
最大
1.185
1.285
1.385
0.887
0.937
0.986
0.699
0.773
0.823
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
k
(1)
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过相关性使用指定
统计质量控制（ SQC）方法。这些限制被用来计算平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
提交文档反馈
产品文件夹链接：
LP2998
3
版权所有 2007年至2013年，德州仪器
