LMP7300
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SNOSAT7F - 2007年8月 - 修订2013年3月
2.7V电气特性
(1)
除非另有规定，确保了对于T的所有限制
A
= 25 ° C，V
+
= 2.7V, V
= 0V和V
CM
= V
+
/2, R
上拉
= 100 kΩ的，C
负载
= 10 pF的。
粗体
限制适用于极端温度。
符号
I
S
参数
电源电流
条件
R
上拉
=打开
民
(2)
典型值
(3)
9
最大
(2)
12
17
±0.75
±2
±1.0
±2.2
3
4
0.5
单位
μA
比较
V
CM
= V
+
/ 2 SOIC
V
OS
输入失调电压
V
CM
= V
+
/ 2 VSSOP
TCV
OS
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
V
OL
I
泄漏
HC
LIN
I
HYS
T
PD
参考
V
O
参考电压
线路调整
负载调整率
TCV
REF /°C的
V
N
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
温度COEF网络cient
输出噪声电压
SOIC
VSSOP
V
CC
= 2.7V至12V
I
OUT
= 0到1mA
40°C
至125℃
0.1赫兹到10赫兹
10赫兹到10千赫兹
80
100
2.043
2.043
2.048
2.048
14
0.2
2.053
2.056
80
0.5
55
V
V
μV/V
毫伏/毫安
PPM /°C的
μV
PP
μV
RMS
输入失调漂移平均
输入偏置电流
(5)
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
输出低电压
输出漏电流
滞环控制电压
线性
滞漏电流
传播延迟
（高到低）
过载= 10毫伏，C
L
= 10 pF的
过载= 100毫伏，C
L
= 10 pF的
1V < V
CM
＆ LT ; 2.7V
V = 2.7V至12V
I
负载
= 10毫安
比较器输出为高电平状态
0 <参考-H
YS
TP ，N < 25毫伏
25毫伏<参考-H
YS
TP ，N < 100毫伏
+
±0.07
±0.07
1.8
1.2
0.15
80
80
100
100
0.25
1
1.000
0.950
1.2
12
4.5
mV
mV
μV/°C
nA
nA
dB
dB
SEE
(4)
|V
ID
| < 2.5V
0.4
0.5
V
pA
mV / V的
3
4
17
7.6
nA
μs
只用于工厂测试条件电气表值适用于在指定的温度。工厂测试条件导致非常
有限的自加热的装置，使得对T
J
= T
A
。的性能参数没有确保的说明书中指示的电
内部自热式中T的条件下表
J
＆ GT ;吨
A
.
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过相关性使用指定的
统计质量控制（ SQC ）方法。
典型值代表最可能的参数指标为在表征的时间来确定。实际的典型值可能会有所不同
随着时间的推移，也将取决于应用和配置。典型的值不测试，不保证在运
生产材料。
失调电压漂移平均分割为V的变化来确定
OS
在极端温度下，通过将总的温度变化。
正电流对应的电流流动到装置中。
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