LM5107
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SNVS333D - 2004年11月 - 修订2013年3月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
V
DD
到V
SS
HB到HS
李或HI到V
SS
LO到V
SS
何为V
SS
HS到V
SS (3)
HB到V
SS
结温
存储温度范围
ESD额定值HBM
(1)
(2)
(3)
(4)
-0.3V至18V
0.3V
至18V
0.3V
到V
DD
+0.3V
0.3V
到V
DD
+0.3V
V
HS
0.3V
到V
HB
+0.3V
5V
以100V
118V
-40 ° C至+ 150°C
55°C
至+ 150°C
2千伏
(4)
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是在一定条件下
被指定的设备的哪些操作。工作额定值并不意味着性能的限制。由于性能的限制和相关测试
条件，请参阅
电气特性
.
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
在应用程序的协节点由外部低位的N -MOSFET的体二极管钳位，因此在HS电压一般会
不超过-1V 。然而在一些应用中，电路板的电阻和电感，可能会导致在HS节点超过该规定
瞬时电压。如果发生在HS负瞬变，房协电压不得大于V更负
DD
- 15V 。例如，若V
DD
= 10V ，在HS负的瞬态电流不得超过-5V 。
人体模型是一个100pF的电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。 6脚，引脚7和引脚8的额定电压为
500V.
推荐工作条件
V
DD
HS
HB
HS摆率
结温
(1)
(1)
8V至14V
1V
以100V
V
HS
+ 8V至V
HS
+14V
< 50 V / ns的
40°C
至+ 125°C
在应用程序的协节点由外部低位的N -MOSFET的体二极管钳位，因此在HS电压一般会
不超过-1V 。然而在一些应用中，电路板的电阻和电感，可能会导致在HS节点超过该规定
瞬时电压。如果发生在HS负瞬变，房协电压不得大于V更负
DD
- 15V 。例如，若V
DD
= 10V ，在HS负的瞬态电流不得超过-5V 。
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