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TI机密 - NDA的限制
LM2731
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SNVS217F - 2004年5月 - 修订2012年11月
设计参数V
SW
我
SW
在FET "ON"电压的值（称为V
SW
在方程）是依赖于负载电流。一个好的
近似可以由FET倍的平均电感乘以"ON Resistance"得到
电流。
场效应管导通电阻增大在V
IN
低于5V的值，由于内部N型场效应晶体管具有在该输入小于栅极电压
电压范围（见
典型性能特性
曲线） 。上述V
IN
= 5V ，场效应管的栅极电压
内部钳位至5V 。
最大峰值开关电流的装置可以提供依赖于占空比。对于更高的工作周期，请参阅
典型性能特性
曲线。
散热注意事项
在较高的工作循环中，使ON FET的时间装置的最大输出电流将被确定
由LM2731 FET开关内的功耗。从导通状态的导通开关功耗为
计算方法如下：
P
（ SW）的
= DC ×1
IND
（ AVE ）
2
个R
DS
（上）
(11)
会有一些开关损耗一样，所以有的降额需要应用时，计算电源IC
耗散。
电感供应商
推荐供应电感该产品包括但不限于墨田， Coilcraft公司，松下，
TDK和村田制作所。当选择一个电感，做出一定的连续电流额定值足够高，以
避免饱和的峰值电流。一种合适的核心类型必须被用来最小化芯（切换）的损失，并
选择的额定电流时焊丝的功率损失必须加以考虑。
关断引脚操作
该装置将关断引脚为低电平关闭。如果该功能不会被使用，销应
直接连接到V
IN
。如果SHDN功能，将需要一个上拉电阻器，必须使用到V
IN
（约
50K - 100kΩ的推荐） 。 SHDN引脚不能离开终结处理。
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