LM2665
SNVS009F - 1999年11月 - 修订2013年5月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
V +至GND电压：
OUT到GND电压：
OUT到V +电压：
SD
V +和OUT连续输出电流
输出短路持续时间为GND
(3)
连续功率
耗散（T
A
= 25°C)
(4)
T
j max的（4）
θ
JA （4）
工作结温范围
存储温度范围
铅温度。 （焊接， 10秒）
ESD额定值
(1)
(2)
(3)
(4)
5.8V
11.6V
5.8V
（ GND
0.3V ）至（V + + 0.3V ）
50毫安
1秒。
600毫瓦
150°C
210°C/W
40°
至85℃
65°C
至+ 150°C
300°C
2kV
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。电气规格不适用时，
经营超过其额定工作条件下的设备。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
OUT可能短路到GND一秒而不损坏。然而，短路输出到V + ，可能会损坏设备和应
避免使用。另外，对于温度高于85℃时，输出不能被短路至GND或V +时，或可能导致设备损坏。
最大允许功耗是通过使用P计算
DMAX
= (T
JMAX
T
A
)/θ
JA
，其中t
JMAX
是最大结
温度T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是指定包的结点至环境热阻。
电气特性
在标准字体限为T
J
= 25°C ，而在极限
粗体
则适用于整个工作温度范围内。
除非另有规定： V + = 5V ，C
1
= C
2
= 3.3
μF.
(1)
符号
V+
I
Q
I
SD
V
SD
参数
电源电压
电源电流
关断电源电流
关断引脚输入电压
关断模式
正常工作
I
L
R
SW
R
OUT
f
OSC
f
SW
P
EFF
输出电流
中的R总和
DS （ ON）
四个内部
MOSFET开关
输出电阻
(6)
振荡器频率
开关频率
功率英法fi效率
(7)
条件
民
(2)
典型值
(3)
最大
(2)
单位
V
A
A
2.5
空载
2.0
(4)
5.5
650
1
1250
0.8
(5)
V
40
I
L
= 40毫安
I
L
= 40毫安
(7)
mA
3.5
12
8
25
Ω
Ω
千赫
千赫
%
80
160
80
93
90
40
86
R
L
GND和OUT之间（ 1.0K ）
I
L
= 40 mA至GND
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
2
在测试电路中，用电容器C
1
和C
2
是3.3 μF ， 0.3Ω最大ESR电容。电容器具有较高的ESR会增加产量
性，降低的输出电压和效率。
分钟。和Max 。限制由设计，测试或统计分析保证。
典型的数字是不能保证，但代表了最常见的情况。
最小输入高电平关断引脚等于V + 40 ％ 。
关断引脚的最大输入低电平等于V + 20 ％ 。
指定的输出电阻包括内部开关电阻和电容的ESR 。请参阅该应用程序的细节信息
正电压倍增器。
输出开关在一半的振荡频率操作中，f
OSC
= 2f
SW
.
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