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LM2660
SNVS135D - 1999年9月 - 修订2013年5月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
LV
FC ， OSC
V +和OUT连续输出电流
输出短路持续时间为GND
(3)
(1) (2)
电源电压（V +至GND或GND为OUT）
6V
（ OUT
0.3V ）至（ GND + 3V ）
最小负（出
0.3V)
或（ V +
6V）至（V + + 0.3V ）
120毫安
1秒。
包
SOIC （ D）
VSSOP （ DGK ）
500毫瓦
150°C
250°C/W
40°C
至+ 85°C
65°C
至+ 150°C
300°C
2千伏
功耗
(T
A
= 25°C)
T
J
最大
θ
JA
(4)
(4)
(4)
735毫瓦
150°C
170°C/W
工作结温范围
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
ESD额定值
(1)
(2)
(3)
(4)
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。电气规格不适用时，
经营超过其额定工作条件下的设备。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
OUT可能短路到GND一秒而不损坏。然而，短路输出到V + ，可能会损坏设备和应
避免使用。另外，对于温度高于85℃时，输出不能被短路至GND或V +时，或可能导致设备损坏。
最大允许功耗是通过使用P计算
DMAX
= (T
JMAX
T
A
)/θ
JA
，其中t
JMAX
是最大结
温度T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是指定包的结点至环境热阻。
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LM2660
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