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LM2653
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SNVS050E - 1999年11月 - 修订2013年4月
LDELAY电容
正如本
手术
部，所述LDELAY电容器设置输出电压之间的时间延迟
低于80 ％的名义值和欠压锁定保护被启用的。
由5充电的CDELAY
μA
电流源达2V设定的延迟时间。因此，T
延迟
= C
延迟
*
2V/5μA.
欠压保护被追平LDELAY脚在地上禁用。
R
1
和R
2
（编程输出电压）
使用下面的公式来选择适当的电阻值：
V
OUT
= V
REF
(1 + R
1
/R
2
)
哪里
V
REF
= 1.238V
(6)
为10kΩ和100kΩ的选择之间的电阻。 （1％或更高的精确度的金属膜电阻的R
1
和R
2
.)
补偿元件
在控制到输出的传递函数，所述第一极F
p1
可估计为1 /（ 2πR
OUT
C
OUT
） ; ESR零点
F
z1
输出电容为1 /（ 2πESRC
OUT
） ;此外，还有一个高频极点F
p2
在到45kHz到范围
150kHz的：
F
p2
= F
s
/(πn(1D))
哪里
D = V
OUT
/V
IN
N = 1 + 0.348L / （V
IN
V
OUT
）（ L是在μHs和V
IN
和V
OUT
在伏）
(7)
总的环路增益G约为500 / I
OUT
在那里我
OUT
在安培。
通用汽车功放使用的LM2653内部。输出电阻R
o
跨导放大器的约80kΩ 。
c1
和R
C
与R 2一起
o
给一个滞后补偿滚下增益：
F
pc1
= 1/(2πC
c1
(R
o
+R
c
)), F
zc1
= 1/2πC
c1
R
c
.
(8)
在一些应用中，ESR零F
z1
不能被F取消
p2
。于是，C
c2
需要引入F
pc2
to
取消ESR零点，女
p2
= 1/(2πC
c2
R
o
‖R
c
).
经验法则是，有超过45 °相位裕度的交叉频率（G = 1 ） 。
如果C
OUT
比68μF ，C较高
c1
= 2.2nF ，且R
c
= 15KΩ在大多数应用中不错的选择。如果ESR零点
太低要被F取消
p2
，将C
c2
.
如果到步骤负载的瞬态响应是很重要的，选择[R色
C
成比为10kΩ以上。
外部肖特基二极管
肖特基二极管D
1
建议以防止低侧MOSFET的本征体二极管
在PWM操作和迟滞模式的死区时间期间导通时MOSFET都被切断。如果主体
二极管导通，存在由于反向恢复电流的体二极管的额外功率损耗和
较高的正向电压;高侧MOSFET还具有由于负二极管反接更多的开关损耗
恢复电流显示为高侧MOSFET的导通电流，除了负载电流。这些损失
由1-2％降解的效率。在提高效率和抗噪声能力与肖特基二极管成为
随输入电压和负载电流更明显。
D转换器的额定击穿电压
1
优选为比最大输入电压高25％。由于D
1
is
仅在很短的一段时间内的平均电流额定值程序D
1
只需要存在的高于30％的
最大输出电流。重要的是要到位d
1
非常靠近低侧MOSFET的漏极和源极，
额外的寄生电感，在并行循环会减缓导通的D
1
并引导电流通过人体
低侧MOSFET的二极管。
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
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