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LM158QML
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SNOSAP3F - 2005年7月 - 修订2013年3月
SMD 5962-8771003 ELDRS免费只
DC漂移参数（续）
以下条件适用，除非另有规定。所有电压参考器件接地。
三角洲计算在B组，只有小组5 QMLV设备上执行。
参数
±I
IB
(1)
输入偏置电流
测试条件
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V
笔记
SEE
(1)
民
-10
最大
10
单位
nA
SUB -
群体
1
输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的，独立的
输出的状态，存在于输入线没有负载的变化。
SMD 5962-8771003 ELDRS免费只
100K邮政辐射限值@ + 25°C
(1)
DC参数
以下条件适用，除非另有规定。
参数
V
IO
输入失调电压
所有电压参考器件接地。
笔记
SEE
(1)
SEE
(1)
SEE
(1)
SEE
(1) (2)
民
-4.0
-4.0
-4.0
-60
最大
4.0
4.0
4.0
-1.0
单位
mV
mV
mV
nA
子 -
群体
1
1
1
1
测试条件
+V
CC
= 30V, V
CM
= 0V,
R
S
= 50, V
O
= 1.4V
+V
CC
= 30V, V
CM
= 28.5V,
R
S
= 50, V
O
= 1.4V
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V,
R
S
= 50, V
O
= 1.4V
±I
IB
(1)
(2)
输入偏置电流
+V
CC
= 5V, V
CM
= 0V
如在后上市前和辐照后的限制是相同的，除非在AC和DC电气特性列出
辐射限值表。这些部件可以是在高剂量的环境敏感。低剂量率的测试上被执行
晶片由晶片的基础上，每个测试方法1019 ， MIL -STD- 883的条件D ，无增强型低剂量速率敏感（ ELDRS ） 。
输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的，独立的
输出的状态，存在于输入线没有负载的变化。
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