LM120 ， LM320 -N
SNVS756C - 1998年4月 - 修订2013年4月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值- 5伏稳压器
(1) (2) (3)
功耗
输入电压
输入输出电压差
结温
存储温度范围
焊接温度
（焊接， 10秒）
塑料
(1)
(2)
(3)
(4)
300°C
260°C
内部限制
25V
25V
(4)
65°C
至+ 150°C
请参阅RETS120-5H图纸LM120H - 5.0或RETS120-5K图纸LM120-5K军用规格。
为
5V
3安培监管，见LM145数据表。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
本规范适用于在
55°C ≤
T
J
≤
+ 150 °和C为LM120 0 ℃，
≤
T
J
≤
+ 125°C的LM320 -N 。
LM120K - 5.0和LM320K - 5.0电气特性
(1)
金属罐包装
订单号
设计输出电流（I
D
)
设备损耗（P
D
)
参数
输出电压
线路调整
输入电压
纹波抑制
负载调整率，
(3)
LM120K-5.0
(TO-3)
1.5A
20W
(2)
LM320K-5.0
(TO-3)
单位
条件
T
J
= 25 ° C，V
IN
=10V,
I
负载
= 5毫安
T
J
= 25 ° C，I
负载
= 5毫安，
V
民
≤
V
IN
≤
V
最大
民
5.1
典型值
5
10
最大
4.9
25
7
民
5.2
典型值
5
10
最大
4.8
40
7
V
mV
V
dB
100
4.75
mV
V
mA
mA
mA
μV
50
3
35
mV
° C / W
° C / W
25
F = 120赫兹
T
J
= 25 ° C，V
IN
= 10V,
5毫安
≤
I
负载
≤
I
D
7.5V ≤
V
IN
≤
V
最大
,
5毫安
≤
I
负载
≤
I
D
, P
≤
P
D
V
民
≤
V
IN
≤
V
最大
T
J
= 25°C
V
民
≤
V
IN
≤
V
最大
5毫安
≤
I
负载
≤
I
D
T
A
= 25°C, C
L
= 1
μF,
I
L
= 5毫安，
V
IN
= 10V ， 10赫兹
≤
f
≤
100千赫
0.1
0.1
150
5
1
5.20
54
64
50
25
54
64
60
5.25
1
0.1
0.1
150
75
4.80
2
0.4
0.4
输出电压，
(2)
静态电流
静态电流
变化
输出噪声电压
长期稳定性
热阻
结到外壳
结到环境
(1)
(2)
(3)
2
0.4
0.4
50
3
35
5
为
5V
3安培监管，见LM145数据表。
本规范适用于在
55°C ≤
T
J
≤
+ 150 °和C为LM120 0 ℃，
≤
T
J
≤
+ 125°C的LM320 -N 。
的测量是在器件结温恒定。热效应引起的输出电压的变化，必须考虑到
分开。为确保结温恒定，低占空比脉冲测试使用。该LM120 / LM320 - N系列确实有低
热反馈，提高线路和负载调节。在所有其他的测试，即使功耗内部限制，电
规格仅适用于高达P
D
.
2
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LM120 LM320 -N
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