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256MB,512MB , 1GB,2GB : 3V嵌入式并行NOR闪存
标准命令定义 - 地址 - 数据周期
表11 :标准命令定义 - 地址 - 数据周期, 8位和16位(续)
注1适用于整个表
地址和数据周期
指挥
代码/子码
芯片擦除( 80 / 10H )
解锁绕道
芯片擦除( 80 / 10H )
块擦除( 80 / 30H)
解锁绕道
块擦除( 80 / 30H)
擦除挂起( B0H )
删除恢复( 30H)
公共汽车
SIZE
x8
x16
x8
x16
x8
x16
x8
x16
x8
x16
x8
x16
空白检查操作
BLANK CHECK
SETUP ( EB / 76H )
x8
x16
AAA
555
BAD
29
AA
555
2AA
BAD
2
2
55
BAD
EB
BAD
76
BAD
00
BAD
00
X
30
X
B0
AAA
555
X
80
AA
555
2AA
BAD
30
55
AAA
555
80
AAA
555
AA
555
2AA
5
55
BAD
30
9
1st
A
AAA
555
X
80
D
AA
A
555
2AA
X
10
2nd
D
55
A
AAA
555
3rd
D
80
A
AAA
555
4th
D
AA
A
555
2AA
5th
D
55
A
AAA
555
5
6th
D
10
笔记
BLANK CHECK CONFIRM X8
和read( 29H )
x16
注意事项:
1, A =地址; D =数据; X = "Don't护理; " = BAD任何地址块;对N =数
被编程的字节; PA =程序地址; PD =程序数据;灰色阴影=未
适用的。在表中所有的值是十六进制的。某些命令需要两个一个COM
命令码和子码。为2Gb的装置,所述的建立命令必须为发出
每个选定的模具。
2.这些细胞代表读周期(相对于写周期的其他人) 。
3.自动选择使设备读取制造商代码,设备代码,阻止亲
tection地位,并扩展内存块保护指标。
4.自动选择地址和数据在电子签名表和指定的
扩展内存块保护表。
5.对于任何解锁绕道擦除/编程命令,前两个解锁周期
不必要的。
6.坏必须相同,写缓冲程序中加载的地址
第三和第四个周期。
7.写缓冲程序操作:最大周期= 261 ( X8 )和517 ( X16 ) 。联合国人
LOCK BYPASS写缓冲程序操作:最大周期= 259 ( X8 ) , 515
( X16 ) 。写缓冲程序操作:N + 1 =字节进行编程;马克西 -
妈妈缓冲区大小= 256字节的(x8)和1024字节( X16 ) 。
8.对于X8 ,A [MAX : 7 ]的地址引脚应保持不变,而A [ 6 : 0 ]和A - 1引脚
用于选择N + 1个字节的页内的字节。对于x16 ,A [MAX : 9 ]地址引脚应
保持不变,而A [ 8 : 0]引脚用于选择在第N + 1字一个字
页。
9块擦除地址周期可以超越6地址数据周期,这取决于
块的数目来擦除。
PDF : 09005aef849b4b09
m29ew_256mb_2gb.pdf - 版本B 8/12 EN
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