1N5802 1N5806直通
无空隙，密闭
超快恢复玻璃
整流器
斯科茨代尔区划
描述
这种“超快恢复”整流二极管系列军用符合MIL - PRF-
四百七十七分之一万九千五，是理想的高可靠性应用中发生故障不能
耐受性。这些行业公认的2.5安培额定整流器的工作高峰期
从50到150伏的反向电压是密封用无空隙玻璃
建筑使用内部“ I类”的冶金结合。它们也
可在表面贴装封装（见直通单独的数据表的1N5802US
1N5806US ） 。 Microsemi的还提供了许多其他整流器产品，以满足更高的
和更低的电流额定值与各种恢复时间速度的要求，包括
标准，快速和超快的两个通孔和表面贴装封装。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
“A”套餐
特点
热门JEDEC注册1N5802 1N5806到系列
无空隙密封的玻璃封装
极其坚固的结构
三层钝化
内部的“类别
I”
冶金债券
JAN ， JANTX ， JANTXV和JANS可以按MIL - PRF-
19500/477
表面贴装也等同于一个方形端盖可用
MELF配置与“美”的后缀（参见单独的数据表
对于1N5802US直通1N5806US ）
应用/优势
超快恢复2.5安培整流器系列50 150V
军事和其它高可靠性应用
开关电源或其他应用程序
要求极高的快速切换&较低的正向损耗
高正向浪涌电流能力
低热阻
控制雪崩峰值反向功率
能力
天生辐射硬
在Microsemi的描述
MicroNote 050
最大额定值
结温： -65
o
C至+175
o
C
存储温度： -65
o
C至+175
o
C
正向平均整流电流（I
O
） ： 2.5 A @ T
L
= 75C
热电阻： 36 C / W交界处领导（ L = .375英寸）
热阻抗： 4.5
o
C / W @ 10毫秒加热时间
正向浪涌电流： 35安培@ 8.3 ms半正弦波
电容： 25 pF的@ V
R
= 10伏， F = 1兆赫
焊锡温度： 260℃ 10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封无空隙硬质玻璃
钨蛞蝓
终端负载：轴向引线的锡/铅（Sn / Pb计）
在铜
标志：车身油漆和零件号等
极性：负极指示的带
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
重量： 340毫克
请参阅最后一页的封装尺寸
反向
当前
（最大）
@ V
RWM
I
R
o
电气特性
工作
PEAK
反向
电压
V
RWM
伏
击穿
电压
（分）
@ 100A
V
BR
伏
平均
纠正
当前
I
O1
@
T
L
=+75C
（注1 ）
安培
平均
纠正
当前
I
O2
@
T
A
=+55C
（注2 ）
安培
最大
前锋
电压
@1A
（ 8.3毫秒脉冲）
V
F
伏
o
25 C
100 C
0.875
0.800
o
TYPE
浪涌
当前
（最大）
I
FSM
（注3）
反向
恢复
时间（最大）
（注4 ）
t
rr
ns
25
25
25
25
25
1N5802 – 1N5806
安培
A
o
25 C 100 C
1N5802
50
55
2.5
1.0
1
50
35
1N5803
75
80
2.5
1.0
1
50
35
1N5804
100
110
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
1N5805
125
135
2.5
1.0
1
50
35
1N5806
150
160
2.5
1.0
0.875
0.800
1
50
35
注1 ：
I
O1
额定电流为2.5 A @ T
L
= 75℃ ，在3/8英寸的引线长度。减额在25毫安/ C对于T
L
75℃以上。
注2 ：
I
O2
额定功率为1.0 @ T
A
= 55℃的PC板，其中从安装点的热阻
周围被充分控制，其中T
J（下最大）
不超过175C 。减免8.33毫安/ C对于T
A
上述55℃ 。
o
注3 ：
T
A
= 25℃ @我
O
= 1.0 A和V
RWM
十8.3毫秒潮间隔为1分钟
注4 ：
I
F
= 0.5 A，I
RM
= 0.5 A，I
R（ REC ）
= .05 A
版权
2004
2004年7月16日REV A
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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