IXDF504 / IXDI504 / IXDN504
4安培双低侧超快MOSFET驱动器
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS的
TM
过程的
闭锁保护高达4安培
高峰值输出电流： 4A峰值
宽工作电压范围： 4.5V至30V
-55°C
至+ 125 °C扩展工作
温度
高容性负载
驱动能力： 1800pF的<15ns
匹配的上升和下降时间
低传播延迟时间
低输出阻抗
低电源电流
在单芯片双驱动
概述
该IXDF504 ， IXDI504和IXDN504每个由两个4-
对于驾驶放大器的CMOS高速MOSFET栅极驱动器
最新IXYS MOSFET的&的IGBT 。每个输出
可源出或吸入峰值电流4安培同时生产
荷兰国际集团的电压上升和小于15ns的下降时间。输入
每个驱动器的TTL或CMOS兼容，几乎是
免疫闭锁。 *专利的创新设计消除
交叉传导电流"shoot - through" 。改进
速度和驱动能力由极进一步增强
快速，匹配的上升和下降时间。
该IXDF504配置有一个闸极驱动器反相+
1栅极驱动器非反相。该IXDI504被配置为
一个双反相门极驱动器，并IXDN504配置
作为双非反相栅极驱动器。
该IXDF504 ， IXDI504和IXDN504在每个可用
8引脚P- DIP （ PI ）封装， 8引脚SOIC （ SIA ）封装
年龄和6引脚DFN （D1）的包装， （它占据
低于65 ％的8引脚SOIC的电路板面积） 。
应用
驱动MOSFET和IGBT
电机控制
线路驱动器
脉冲发生器
本地电源ON / OFF开关
开关模式电源（ SMPS ）
DC到DC转换
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
功率电荷泵
*美国专利6917227
订购信息
产品型号
IXDF504PI
IXDF504SIA
IXDF504SIAT/R
IXDF504D1
IXDF504D1T/R
IXDI504PI
IXDI504SIA
IXDI504SIAT/R
IXDI504D1
IXDI504D1T/R
IXDN504PI
IXDN504SIA
IXDN504SIAT/R
IXDN504D1
IXDN504D1T/R
描述
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
4A低侧栅极驱动器I.C.
包
TYPE
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
6引线DFN
6引线DFN
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
6引线DFN
6引线DFN
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚SOIC
6引线DFN
6引线DFN
包装方式
管
管
13 “磁带和卷轴
2 “×2”华夫格包
13 “磁带和卷轴
管
管
13 “磁带和卷轴
2 “×2”华夫格包
13 “磁带和卷轴
管
管
13 “磁带和卷轴
2 “×2”华夫格包
13 “磁带和卷轴
PACK
数量
50
94
2500
56
2500
50
94
2500
56
2500
50
94
2500
56
2500
CON组fi guration
双驱动器，
一个反相
和一个非
反相
双反相
DRIVERS
双非
反相
DRIVERS
注意：
所有部件均采用无铅设计并符合RoHS标准
2007 IXYS公司保留所有权利
DS99567A(10/07)
首次发行
