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IS61/64WV5128EDBLL
写周期开关特性
(1,3)
（以上经营范围）
符号
t
wC
参数
写周期时间
CE撰写完
地址建立时间
撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
-8
分钟。马克斯。
8 —
6.5 —
6.5 —
0 —
0 —
6.5 —
8.0 —
5 —
0 —
— 3.5
2 —
-10
分钟。马克斯。
10 —
8 —
8 —
0 —
0 —
8 —
10 —
6 —
0 —
— 5
2 —
-20
分钟。马克斯。
20 —
12 —
12 —
0 —
0 —
12 —
17 —
9 —
0 —
— 9
2 —
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
n
s
ns
ns
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
t
SCE
t
aw
t
ha
t
sa
t
PWE
1
t
PWE
2
t
sd
t
hd
t
HZWE
(2)
t
LZWE
(2)
WE脉冲宽度
WE脉冲宽度（ OE = LOW ）
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高-Z输出
我们前高后低-Z输出
注意事项：
1.试验条件和输出负载条件在AC测试条件和交流测试负载（图1）中指定。
2.在图测试与负载2的过渡，从稳态电压测量± 500毫伏。未经100％测试。
3.内部写入时间由CE低的重叠定义， WE低。所有信号必须在有效状态到启动
写，但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立时间和保持时间都参考上升
或下降并因此终止了写入的信号的边沿。在发展中阴影区域的产品
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com
版本B
11/08/2011
7
