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IS61/64WV25616EDBLL
AC波形
写周期NO 。 1
( CE控制, OE为高电平或低电平)
(1 )
1
2
t
HA
t
WC
地址
有效的地址
t
SA
CE
t
SCE
t
AW
t
PWE1
t
PWE2
t
PWB
3
4
WE
UB , LB
t
HZWE
D
OUT
数据中,未定义
高-Z
t
LZWE
t
SD
D
IN
t
HD
5
UB_CEWR1.eps
数据
IN
有效
注意事项:
1.写是低国对CE重叠时内部产生的信号断言和WE的投入和至少
一项所述的LB和UB输入在低电平状态的。
2.写= ( CE)
[
(LB) = (UB)
]
(WE) 。
6
7
8
写周期NO 。 2
(我们控制。
OE
是高在写周期)
(1,2)
t
WC
地址
有效的地址
t
HA
OE
9
10
CE
t
AW
WE
t
PWE1
t
PWB
t
SA
UB , LB
t
HZWE
D
OUT
数据中,未定义
高-Z
t
LZWE
11
UB_CEWR2.eps
t
SD
D
IN
t
HD
数据
IN
有效
12
集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com
REV 。一
09/29/2011
9

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