飞利浦半导体
产品speci fi cation
单稳态/非稳态多谐振荡器
5.定时元件的限制
HEF4047B
微星
在该电路中使用的电容器应该是非偏振光，并具有低的泄漏（的即并联电阻
电容应幅度大于使用的外部电阻器）的命令。
存在用于为R没有上限或下限
t
或C
t
值维持振荡。
然而，考虑到精度，C
t
必须比在系统中所固有的杂散电容大得多（除非
该电容可被测量和考虑） 。
R
t
必须比LOCMOS “ON”的电阻串联的，其通常是数百欧姆的大得多。
R的推荐值
t
和C
t
保持与先前计算公式协议不修剪
应该是：
C
t
≥
100pF的，到任何实用价值，
10 k
≤
R
t
≤
1 M.
6.电源消耗
在待机模式（单稳态或稳态） ，功耗就会在电路的漏电流的函数。
对于动态操作，所需的功率充电的外接定时电容C
t
给出由以下结构式：
非稳态模式：
P = 2 C
t
V
2
F（ F。对于输出引脚13 ）
P = 4℃
t
V
2
F （六在输出销10和11）
2
2
,
9 C
t
V
(
占空比
)
-
P =
--------------------------------------------------------------------
(
F。对于输出管脚10和11
)
T
单稳态模式：
因为功耗不依赖R上
t
中，设计为最小的功耗将是一个小的值
的C
t
。 R的值将依赖于（在前面讨论过的局限性）的所需时间。
在稳态模式下典型功耗示于图10，图11和图12 。
1995年1月
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