HCS362
图2-2：
S0, S1, S2
输入
I / O电路
2.1
2.1.1
结构概述
板载EEPROM
ESD
RS
V
DD
PFET
RFEN
的HCS362具有板载非易失性EEPROM ，
这是用于存储用户可编程的数据。该
数据可在制造时被编程和
包括与安全相关的信息，如
编码器的按键，序列号，歧视和种子
值。所有的安全性有关的选项被读
受保护的。该HCS362内置了防
反腐败。每一个EEPROM写入之前，
内部电路还确保了高电压
写入到EEPROM中需要的是在一个可接受的
的水平。
2.1.2
S3输入/
RFEN输出
ESD
RS
内部RC振荡器
该HCS362有一个板载RC振荡器， CON组
trols所有的逻辑输出时序特性。该
内的额定电压的± 10％的振荡频率发生变化
值（校准一次在2V的电压范围 -
3.5V或3.5V - 6.3V ） 。在所有指定的时间值
本文档受振荡器的变化。
图2-3：
V
DD
HCS362归一牛逼
E
与
温度
PFET
数据
NFET
数据I / O
1.10
T
E
1.08
1.06
1.04
1.02
典型
T
E
1.00
0.98
0.96
0.94
T
E
0.92
0.90
-50-40 -30-20-10 0 10 20 30 40 50 6070 80 90
温度°C
V
DD
传说
= 2.0V
= 3.0V
= 6.0V
ESD
RDATA
注意：
LED输出
SHIFT输入
ESD
数值为标定振荡器
移
2.1.3
低电压检测
RL
RH
低电池电压检测器自带的HCS362
可以指示当工作电压低于
预定值。有八个可供选择
视
VLOW
[
0..2
]配置选项。
提供的选项有：
000
- 2.0V
100
- 4.0V
001
- 2.1V
LEDL
NFET
NFET
LEDH
101
- 4.2V
110
- 4.4V
111
- 4.6V
010
- 2.2V
011
- 2.3V
DS40189D第6页
初步
2002年Microchip的科技公司
