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SN74LVC1G58
SCES415N - 2002年11月 - 修订2013年12月
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
功能表
输入
In2
L
L
L
L
H
H
H
H
In1
L
L
H
H
L
L
H
H
In0
L
H
L
H
L
H
L
H
产量
Y
L
H
L
H
H
H
L
L
逻辑图（正逻辑）
In0
3
4
In1
1
Y
In2
6
功能选择表
逻辑功能
2 ，输入带反向输入
2输入与非
二输入NAND与反相两个输入
2输入或
2输入或用反相两个输入
2输入NOR与反相输入
2-输入异或
图号
图2 ，图3中
图1
图4
图4
图1
图2 ，图3中
图5
2
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SN74LVC1G58
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