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LM111 -N ， LM211 -N ， LM311 -N
www.ti.com
SNOSBJ1E - 1999年5月 - 修订2013年3月
图9.过零检测器驱动MOS逻辑
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
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