NTD5802N ， NVD5802N
功率MOSFET
特点
40 V ，单N通道， 101采用DPAK
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低电容，以最大限度地减少驱动器损耗
优化的栅极电荷，以最大限度地降低开关损耗
MSL 260分之1 ℃，
AEC Q101标准
100％的雪崩测试
AEC Q101标准
NVD5802N
这些器件是无铅和符合RoHS标准
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
40 V
R
DS （ ON）
4.4毫瓦@ 10 V
7.8毫瓦@ 5.0 V
D
I
D
101 A
50 A
应用
CPU电源交付
DC-DC转换器
电机驱动器
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
租金（R
QJC
） （注1 ）
功耗
(R
QJC
） （注1 ）
连续漏电流
租金（R
qJA
） （注1 ）
功耗
(R
qJA
） （注1 ）
漏电流脉冲
t
p
=10ms
通过封装电流限制
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
P
D
I
DM
I
Dmaxpkg
T
J
, T
英镑
I
S
dv / dt的
E
AS
P
D
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
40
"20
101
78
93.75
16.4
12.7
2.5
300
45
55
to
175
50
6.0
240
W
A
A
°C
A
V / ns的
mJ
W
A
单位
V
V
A
G
S
N沟道
4
1 2
3
CASE 369C
DPAK
（本特铅）
方式2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
58
02NG
2
1 3漏
门源
Y
WW
5802N
G
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
工作结温和存储温度
源电流（体二极管）
漏极到源极的dV / dt
单脉冲Drain - to-Source雪崩恩
ERGY （V
DD
= 32 V, V
GS
= 10 V,
L = 0.3 mH的，我
L（ PK）
= 40 A，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年8月
启示录6
1
出版订单号：
NTD5802N/D
