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三菱的LSI
M5M51008CP ， FP ，副总裁， RV ， KV ， KR -55H ， -70H ，
-55X, -70X
1048576 - BIT （ 131072 -字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M51008C系列的操作模式是通过确定
该装置的控制输入S的组合
1
,S
2
， W和OE 。
每个模式被概括在表的功能。
写周期执行每当低水平W和重叠
低电平S
1
和高电平S
2
。该地址必须设置
前的写周期，并且必须在整个周期内是稳定的。
该数据被锁存到细胞上的W，S的后缘
1
或S
2
,
以先到为准，要求的建立和保持相对的时间
要保持这些边缘。输出直接使能输入OE
控制所述输出级。设置在OE在高电平时，输出
阶段是在一个高阻抗状态，并在数据总线争用
在写周期的问题被消除。
读周期由在高电平和OE在一个设定W执行
较低的水平，而S
1
和S
2
处于活动状态（S
1
= L，S
2
=H).
当值[S
1
在高电平或S
2
在一个低的水平，该芯片是在
无可选择的模式，其中阅读和写作是
禁用。在这种模式下，输出级处于高阻抗
状态，允许或领带与其他芯片和内存扩张
S
1
和S
2
。电源电流降低为低的
待机被指定为I电流
CC3
还是我
CC4
和存储器
数据可以在+ 2V的电源来保持，从而使备用电池
在非电源故障或断电操作期间操作
选择的模式。
功能表
S
1
X
H
L
L
L
S
2
L
X
H
H
H
W
X
X
L
H
H
模式
DQ
OE
X非选择高阻抗
X非选择高阻抗
DIN
X
写
DOUT
L
读
高阻抗
H
I
CC
待用
待用
活跃
活跃
活跃
框图
*
A4
A5
A6
A7
8
7
6
5
16
15
14
13
12
11
10
7
4
*
21
22
13 DQ1
14 DQ2
15 DQ3
17 DQ4
18 DQ5
19 DQ6
20 DQ7
21 DQ8
数据
输入/
输出
A12 4
A14 3
A16 2
A15 31
A13 28
131072字
×8位
（ 512行
X128柱
X 16BLOCKS ）
23
25
26
27
28
29
地址
输入
A0 12
A1 11
A2 10
A3
9
20
19
18
17
5
A10 23
A8
A9
27
26
31
3
2
1
32
8
24
30
6
写
29 W控制
输入
22 S1
30 S2
芯片
SELECT
输入
时钟
发电机
A11 25
产量
24 OE启用
输入
32 V
CC
16 GND
(0V)
*内点线引脚号显示这些TSOP的
三菱
电
2
