HN1C01F
东芝晶体管NPN硅外延式（ PCT程序）
HN1C01F
声频通用放大器应用
小型封装（双型）
高电压和高电流
: V
首席执行官
= 50 V，I
C
= 150 MA（最大）
高
FE
: h
FE
= 120~400
优秀
FE
线性
: h
FE
(I
C
= 0.1毫安） /小时
FE
(I
C
= 2毫安） = 0.95 （典型值）。
单位：mm
（ Q1 ， Q2常见）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
150
30
300
125
55~125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
―
JEITA
―
东芝
2-3N1A
重量：0.015克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
*总分
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ Q1 ， Q2公用）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE （注）
V
CE （SAT）
f
T
C
ob
TEST
电路
―
―
―
―
―
―
测试条件
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
EB
= 5 V，I
C
= 0
V
CE
= 6 V，I
C
= 2毫安
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
民
―
―
120
―
80
―
典型值。
―
―
―
0.1
―
2
最大
0.1
0.1
400
0.25
―
3.5
V
兆赫
pF
单位
μA
μA
注：H
FE
分类
Y（ Y） ： 120 240 ， GR （ G） ： 200 400
（ ）标记符号
1
2007-11-01
