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RUR040N02
晶体管
1.5V驱动N沟道MOSFET
RUR040N02
结构
硅N沟道
MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TSMT3
特点
1 ） 1.5V驱动
2）低导通电阻。
3 ）内置G -S保护二极管。
4 ）小型表面贴装封装（ TSMT3 ） 。
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： XF
应用
开关
等效电路
TAPING
TL
3000
(1)
1
2
(3)
包装规格
包
TYPE
RUR040N02
CODE
基本订购单位（件）
(2)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（ 1 ）门
（ 2 ）资料来源
（ 3 ）排水
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
范围
20
±10
±4.0
±8.0
0.8
8.0
1.0
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
总功耗
通道温度
储存温度范围
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷基板
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH （ CH -A ）
范围
125
单位
°C
/ W
1/4
