TPCA8050-H
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U - MOSⅥ -H ）
TPCA8050-H
开关稳压器的应用
电机驱动应用
DC- DC转换器应用
6.0
±
0.3
5.0
±
0.2
单位：mm
1.27 0.4
±
0.1
8
5
0.05 M A
由于占用空间小，小而薄的封装
高速开关
小栅极电荷：Q
SW
= 10 NC （典型值）。
0.15
±
0.05
1
0.95
±
0.05
4
0.595
0.166
±
0.05
4
A
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 9.0毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 70 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 10
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 60 V)
增强型： V
th
= 1.3 2.3 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 0.5 mA）的
5.0
±
0.2
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
0.6
±
0.1
1
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
P
D
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
60
60
±20
24
72
45
2.8
1.6
42
24
2.68
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
4.25
±
0.2
脉冲（注1 ）
（ TC = 25 ℃ ）
(t
=
10 s)
（注2A ）
(t
=
10 s)
（注2B ）
1,2,3 ： SOURCE
5,6,7,8 ：排水
4 ：门
漏极功耗
漏极功耗
漏极功耗
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 0.069克（典型值）。
2-5Q1A
单脉冲雪崩能量
（注3）
雪崩电流
重复性雪崩能量
（ TC = 25 ℃ ） （注4 ）
通道温度
存储温度范围
电路CON组fi guration
8
7
6
5
注意：对于注释1至4中，参考下页。
在重负载下连续使用（高如应用程序
4
1
2
3
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件（即工作温度/电流/电压等）是
内的绝对最大额定值。请在审查东芝设计相应的可靠性
半导体可靠性手册（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人
可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
1
2009-07-06
0.8
±
0.1
8
5
3.5
±
0.2
1.1
±
0.2
S
0.05 S
