超低噪声，高PSRR ，

低压差， 120mA线性稳压器

MAX8510/MAX8511/MAX8512

引脚说明

针

MAX8510

SC70

1

2

3

4

—

5

—

—

TDFN

内啡肽

5

3

4

2

—

7

1, 6, 8

—

MAX8511

SC70

1

2

3

—

—

5

4

—

TDFN

内啡肽

5

3

4

—

—

7

1, 2, 6,

—

MAX8512

SC70

1

2

3

—

4

5

—

—

TDFN

内啡肽

5

3

4

—

2

7

1, 6, 8

—

IN

GND

SHDN

BP

FB

OUT

北卡罗来纳州

EP

未稳压输入电源

地

关机。拉低禁用稳压器。

噪声旁路用于低噪声工作。连接一个10nF电容

从BP到OUT 。 BP短路到在关断模式。

可调输出反馈点

调节输出电压。旁路电容到GND。见

电容的选择和调节器的稳定性

更多的细节部分。

无连接。没有内部连接。

裸露焊盘（ TDFN只） 。内部连接到GND 。连

一个大接地平面，以最大限度地提高散热性能。不

将其作为电气连接点。

名字

功能

详细说明

该MAX8510 / MAX8511 / MAX8512是超低噪音，

低压差，低静态电流的线性稳压器

专为空间受限的应用。零件

可预设输出电压范围

1.5V至4.5V的100mV的增量。这些设备可以

供电负荷高达120mA 。如图中

实用

图中，

在MAX8510 / MAX8511包含一个创新的

略去带隙核心和噪声旁路电路，误差

放大器， P沟道传输晶体管，以及内部馈

回分压器。在MAX8512允许

可调整的输出与外部反馈网络。

在1.225V带隙基准源连接到

误差放大器的反相输入端。误差放大器的COM

削去该基准和反馈电压和

放大的差。如果反馈电压

比基准电压低时，通晶体管

门被拉低。这允许更多的电流通过，以

的输出和增加输出电压。如果馈

背部电压过高时，导通晶体管栅极是

拉高，从而允许更小的电流传递到输出端。

输出电压被反馈通过内部电阻

器分压器连接到OUT引脚。

一个外部旁路电容连接到BP

（ MAX8510 ）可降低噪声的输出。另外

块包括一个限流器，热传感器，并

关断逻辑。

内部P沟道MOSFET

该MAX8510 / MAX8511 / MAX8512设有1Ω （典型值）

P沟道MOSFET晶体管。这提供了seve-

使用PNP通过类似的设计RAL优势

晶体管，包括更长的电池寿命。该P沟道

MOSFET不需要基极驱动，大大

降低静态电流。 PNP型稳压浪费

在压降相当大的电流时通晶体管

器饱和。他们还利用高基极驱动电流

在重负载下。该MAX8510 / MAX8511 / MAX8512

不从这些问题受苦，只消耗

在轻负载和220μA的静态电流40μA

差（见

典型工作特性） 。

输出电压选择

该MAX8510 / MAX8511与出厂设置提供

输出电压范围为1.5V至4.5V ，以100mV增量

（见

订购信息） 。

该MAX8512有

通过外部反馈，用户可调节输出

网络（见

典型工作电路） 。

以设置MAX8512的输出，使用以下

公式：

V

OUT

R1

=

R2 X

- 1

V

REF

其中R 2被选择为小于240KΩ和V

REF

=

1.225V 。使用1 ％或更好的电阻。

6

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